| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| ·红外探测器及红外制导简介 | 第9-13页 |
| ·红外探测器的分类 | 第13-18页 |
| ·光子探测器 | 第13-17页 |
| ·热探测器 | 第17-18页 |
| ·红外探测器的性能参数 | 第18-21页 |
| ·响应率 | 第18-19页 |
| ·结电阻 | 第19页 |
| ·量子效率 | 第19-20页 |
| ·时间常数 | 第20页 |
| ·噪声等效功率 | 第20-21页 |
| ·探测率和比探测率 | 第21页 |
| ·碲镉汞材料及红外探测器 | 第21-28页 |
| ·碲镉汞材料生长简介 | 第21-24页 |
| ·碲镉汞红外探测器简介 | 第24-28页 |
| ·展望 | 第28页 |
| ·本文的工作和意义 | 第28-31页 |
| 第二章 离子束刻蚀碲镉汞环孔PN结I-V、R_D-V特性的研究 | 第31-82页 |
| ·引言 | 第31-33页 |
| ·光伏理论及I—V特性 | 第33-41页 |
| ·碲镉汞环孔PN结I—V特性研究 | 第41-81页 |
| ·材料生长和器件制备 | 第41-43页 |
| ·实验结果分析 | 第43-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第三章 碲镉汞MIS器件的制备及其界面电学特性的研究 | 第82-120页 |
| ·引言 | 第82-98页 |
| ·表面感生电荷层 | 第87-89页 |
| ·耗尽情形 | 第89页 |
| ·反型情型 | 第89-91页 |
| ·MIS电容 | 第91-92页 |
| ·理想MIS结构的C-V特性 | 第92-95页 |
| ·实际MIS结构的C—V特性 | 第95-98页 |
| ·实验 | 第98-100页 |
| ·MIS器件的制备 | 第98-99页 |
| ·MIS器件的C-V特性测量 | 第99-100页 |
| ·结果与讨论(界面电学特性研究) | 第100-118页 |
| ·MISC-V曲线的串联电阻修正 | 第100-101页 |
| ·钝化层固定电荷密度N_F | 第101-103页 |
| ·MIS结构衬底杂质浓度分布 | 第103-106页 |
| ·界面态密度的能量分布 | 第106-117页 |
| ·慢界面态密度N_h | 第117-118页 |
| ·本章小结 | 第118-120页 |
| 第四章 碲镉汞MIS器件界面化学结构的研究 | 第120-138页 |
| ·引言 | 第120-124页 |
| ·半导体表面研究方法 | 第120-123页 |
| ·X射线光电子能谱基本原理 | 第123-124页 |
| ·实验 | 第124-125页 |
| ·结果分析与讨论 | 第125-137页 |
| ·本章小结 | 第137-138页 |
| 第五章 结论 | 第138-140页 |
| 致谢 | 第140-142页 |
| 附录A C-V法测量PN结杂质浓度分布的基本原理及应用 | 第142-152页 |
| 附录B 硕士论文期间发表文章 | 第152-153页 |
| 参考文献 | 第153-155页 |
