| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·富勒烯分子 | 第9-10页 |
| ·技术背景 | 第10-12页 |
| ·研究目的 | 第12-13页 |
| 第2章 实验原理和仪器介绍 | 第13-30页 |
| ·扫描隧道显微镜工作原理 | 第13-22页 |
| ·一维量子势阱 | 第13-14页 |
| ·巴丁隧穿近似理论 | 第14-18页 |
| ·一维量子势阱的巴丁近似 | 第18页 |
| ·基于巴丁近似的隧穿电流 | 第18-19页 |
| ·Tersoff-Hamann隧穿矩阵 | 第19-21页 |
| ·STM的图像 | 第21-22页 |
| ·密度泛函理论(Density Function Theory,DFT) | 第22-27页 |
| ·DFT的理论框架 | 第22-25页 |
| ·局域密度近似(Local Density Approximation,LDA) | 第25-26页 |
| ·平面波波尔近似 | 第26-27页 |
| ·超高真空扫描隧道显微镜系统(UHV-STM) | 第27-30页 |
| ·超高真空技术 | 第27-28页 |
| ·超高真空系统 | 第28页 |
| ·Aarhus-STM | 第28-30页 |
| 第3章 室温下富勒烯分子在硅(111)-7×7表面的吸附结构 | 第30-42页 |
| ·硅(111)-7×7表面 | 第30-34页 |
| ·硅(111)-7×7表面特征 | 第30-31页 |
| ·DFT理论模拟的Si(111)-7×7表面 | 第31-32页 |
| ·Si(111)-7×7表面的制备工艺 | 第32页 |
| ·Si(111)-7×7清洁表面的STM图像 | 第32-34页 |
| ·C_(60)分子在Si(111)-7×7表面吸附行为 | 第34-36页 |
| ·实验步骤 | 第34页 |
| ·C_(60)分子吸附在Si(111)-7×7表面 | 第34-36页 |
| ·C_(60)分子在Si(111)-7×7表面吸附几何结构 | 第36-41页 |
| ·C_(60)分子吸附在Si(111)-7×7表面细致几何结构 | 第36-37页 |
| ·扫描电压对C_(60)分子吸附几何结构观测的影响 | 第37-38页 |
| ·C_(60)分子吸附在Si(111)-7×7表面DFT理论模拟 | 第38-39页 |
| ·结果分析与讨论 | 第39-41页 |
| ·总结 | 第41-42页 |
| 第4章 单个富勒烯分子吸附结构的调控 | 第42-49页 |
| ·单分子调控设想 | 第42-43页 |
| ·单个富勒烯分子的调控 | 第43-48页 |
| ·银团簇对富勒烯分子的调控 | 第43-46页 |
| ·调控前富勒烯分子的吸附结构 | 第43-44页 |
| ·调控后富勒烯分子的吸附结构 | 第44-46页 |
| ·单个富勒烯分子吸附结构的调控 | 第46-48页 |
| ·总结 | 第48-49页 |
| 第5章 结论与展望 | 第49-50页 |
| ·结论 | 第49页 |
| ·展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第56页 |
