| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第1章 密度泛函理论 | 第13-32页 |
| ·绝热近似和Hartree-Fock近似 | 第13-16页 |
| ·密度泛函理论基本概念 | 第16-24页 |
| ·Thomas-Fermi-Dirac近似 | 第17页 |
| ·Hohenberg-Kohn理论:多体理论 | 第17-18页 |
| ·Kohn-Sham方程:有效单电子近似 | 第18-20页 |
| ·交换相关能量泛函 | 第20-24页 |
| ·密度泛函理论的其他扩展形式 | 第24-29页 |
| ·自旋密度泛函理论(SDFT) | 第24页 |
| ·含时密度泛函理论(TDDFT) | 第24-26页 |
| ·相对论性密度泛函理论 | 第26-27页 |
| ·密度泛函微扰理论 | 第27-28页 |
| ·流密度泛函理论(CDFT) | 第28页 |
| ·电场与极化 | 第28-29页 |
| ·密度泛函理论的应用 | 第29-30页 |
| ·本论文所采用的基于密度泛函理论的计算软件包 | 第30-32页 |
| 第2章 石墨烯纳米带的理论研究 | 第32-68页 |
| ·石墨烯的研究进展 | 第33-45页 |
| ·石墨烯的发现及制备手段 | 第33-36页 |
| ·石墨烯的空间几何结构 | 第36-37页 |
| ·石墨烯的电子结构 | 第37-39页 |
| ·石墨烯电子结构的调控性质 | 第39-42页 |
| ·石墨烯的输运性质 | 第42-43页 |
| ·石墨烯的磁性质 | 第43页 |
| ·小结 | 第43-45页 |
| ·石墨烯纳米带的研究进展 | 第45-47页 |
| ·石墨烯纳米带受应力作用的理论研究 | 第47-63页 |
| ·armchair型石墨烯纳米带在应力作用下的DFT方法计算 | 第47-52页 |
| ·杨氏模量 | 第52-53页 |
| ·紧束缚方法验证 | 第53-61页 |
| ·zigzag型石墨烯纳米带受应力作用下的电子结构研究 | 第61-63页 |
| ·有起伏的石墨烯的理论研究 | 第63-68页 |
| ·计算方法 | 第63页 |
| ·几何结构 | 第63-64页 |
| ·能量比较 | 第64-66页 |
| ·电子结构 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第3章 SiC纳米材料的理论研究 | 第68-91页 |
| ·纳米SiC的研究现状 | 第68-69页 |
| ·自旋电子学以及半金属材料介绍 | 第69-70页 |
| ·SiC纳米带的电子结构及磁性质的研究 | 第70-86页 |
| ·研究背景 | 第70-73页 |
| ·计算方法及细节 | 第73-74页 |
| ·二维类石墨烯SiC平面的电子结构 | 第74页 |
| ·armchair型SiC纳米带的电子结构 | 第74-76页 |
| ·zigzag型SiC纳米带的电子结构及磁性质 | 第76-81页 |
| ·两个H饱和边界处一个Si原子(SiC-2H NRs) | 第81页 |
| ·稳定性讨论 | 第81-84页 |
| ·小结 | 第84-86页 |
| ·边界修饰SiC纳米带 | 第86-91页 |
| ·研究背景 | 第86-88页 |
| ·计算方法及细节 | 第88页 |
| ·NO_2-H的结果 | 第88-90页 |
| ·NO_2-CH_3的结果 | 第90页 |
| ·小结 | 第90-91页 |
| 第4章 碲纳米管的理论研究 | 第91-99页 |
| ·研究背景 | 第91-92页 |
| ·实验过程简介及结果 | 第92-95页 |
| ·理论计算方法与细节 | 第95-97页 |
| ·Te纳米管的电子结构 | 第97页 |
| ·Te纳米管掺杂杂质后的电子结构 | 第97-98页 |
| ·小结 | 第98-99页 |
| 第5章 碳团簇的理论研究 | 第99-106页 |
| ·研究背景 | 第99页 |
| ·理论计算方法与细节 | 第99-101页 |
| ·计算结果分析 | 第101-105页 |
| ·小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第115页 |
