| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·FLASH存储器的基本结构及工作原理 | 第11-15页 |
| ·Flash存储器的基本结构 | 第11-12页 |
| ·Flash存储器的编程和擦除机制 | 第12-14页 |
| ·传统的Flash存储单元存在的缺点 | 第14-15页 |
| ·金属纳米晶存储器的工作原理及金属纳米晶的制备方法 | 第15-19页 |
| ·金属纳米晶存储器的工作原理 | 第16-17页 |
| ·金属纳米晶的大小和分布要求 | 第17-18页 |
| ·金属纳米晶存储器的制备方法 | 第18-19页 |
| ·金属纳米晶存储器的性能改进方案 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 实验技术及原理 | 第22-32页 |
| ·前言 | 第22页 |
| ·磁控溅射非晶薄膜 | 第22-24页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第22-23页 |
| ·磁控溅射的溅射方式 | 第23-24页 |
| ·非晶薄膜快速热退火形成纳米晶机理与应用简介 | 第24-26页 |
| ·非晶薄膜快速热退火形成纳米晶的机理 | 第24-25页 |
| ·非晶薄膜退火晶化法在集成电路中的应用 | 第25-26页 |
| ·薄膜微观结构表征方法 | 第26-31页 |
| ·原子力显微分析(AFM) | 第26-27页 |
| ·扫描电子显微分析(SEM) | 第27-28页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第28-29页 |
| ·透射电子显微分析(TEM) | 第29-30页 |
| ·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 磁控溅射非晶薄膜后退火法制备Pd纳米晶的工艺研究 | 第32-44页 |
| ·前言 | 第32页 |
| ·实验方案 | 第32-33页 |
| ·实验结果及讨论 | 第33-43页 |
| ·磁控溅射非晶Pd金属初始薄膜淀积条件的选取 | 第33-36页 |
| ·不同的快速热退火条件对所形成的Pd纳米晶生长的影响 | 第36-41页 |
| ·Pd金属纳米晶在传统栅介质(SiO_2)上的生长以及退火处理对纳米晶形态、分布的影响 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 嵌于TiO_2薄膜的Pd纳米晶的制备及其存储效应的研究 | 第44-66页 |
| ·前言 | 第44-45页 |
| ·实验方案 | 第45-46页 |
| ·反应共溅射法制备嵌于TiO_2薄膜中的Pd金属纳米晶 | 第45页 |
| ·嵌于TiO_2薄膜Pd金属纳米晶的MOS存储电容的制备 | 第45-46页 |
| ·实验结果及讨论 | 第46-64页 |
| ·反应共溅射PdTiO薄膜的纳米结构分析 | 第46-51页 |
| ·反应共溅射PdTiO薄膜的化学成份分析 | 第51-58页 |
| ·内嵌于TiO_2薄膜的Pd纳米晶作为电荷俘获层的MOS电容存储效应 | 第58-64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 研究总结及展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
