| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 导论 | 第5-16页 |
| ·嵌入式存储器研究现状 | 第5-6页 |
| ·几种新型嵌入式动态随机存储器 | 第6-12页 |
| ·1T1C eDRAM | 第6-8页 |
| ·1T-SRAM | 第8-9页 |
| ·2T-SRAM | 第9页 |
| ·FBC | 第9-12页 |
| ·2T Gain Cell | 第12-14页 |
| ·论文的主要工作和技术要点 | 第14页 |
| ·论文的组织结构 | 第14-16页 |
| 第2章 2T Gain Cell单元特性与设计技术难点 | 第16-23页 |
| ·难点1:2T Gain Cell单元特性——t_(retention)太短 | 第16-17页 |
| ·难点2:2T Gain Cell操作方式——需要负电压 | 第17-18页 |
| ·难点3:2T Gain Cell Retention Time Vs.Temperature | 第18-19页 |
| ·难点4:2T Gain Cell Retention Time Vs.Disturbance | 第19-23页 |
| 第3章 具有低功耗刷新特点的eDRAM芯片架构 | 第23-26页 |
| 第4章 单元结构优化 | 第26-30页 |
| ·工艺优化 | 第26-27页 |
| ·版图结构优化 | 第27-29页 |
| ·Data retention time改进 | 第29-30页 |
| 第5章 负电压操作及相关设计 | 第30-51页 |
| ·负电压操作在设计中的困难 | 第30-31页 |
| ·负压传输电路设计 | 第31-35页 |
| ·负电压片上产生电路——Negative Voltage Charge Pump | 第35-51页 |
| ·电荷泵工作原理简介 | 第35-39页 |
| ·负压电荷泵设计指标 | 第39-40页 |
| ·电路设计与参数计算 | 第40-49页 |
| ·负压电荷泵版图与后仿结果 | 第49-51页 |
| 第6章 基于监测单元的温度自适应刷新及写电压调整方案 | 第51-67页 |
| ·传统的温度自适应刷新方案 | 第52-53页 |
| ·基于监测单元的温度自适应刷新及写电压调整方案 | 第53-57页 |
| ·核心电路实现 | 第57-66页 |
| ·258位快速比较器——Mutual Comparator | 第57-60页 |
| ·WBL写电压控制逻辑 | 第60-66页 |
| ·动态刷新功耗的优化 | 第66-67页 |
| 第7章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |
| 论文及专利发表情况 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
