| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·氮化硅材料的发展历程 | 第8-10页 |
| ·氮化锗材料的发展历程 | 第10-11页 |
| ·氮化碳材料的发展历程 | 第11页 |
| ·氮化硅锗材料的发展历程 | 第11-13页 |
| ·第一性原理计算的发展、作用及优点 | 第13-15页 |
| ·本论文的主要内容 | 第15-16页 |
| 参考文献: | 第16-17页 |
| 第二章 基础理论和计算方法 | 第17-33页 |
| ·早期的单电子近似理论 | 第17页 |
| ·Born-Oppenheimet近似 | 第17-19页 |
| ·Hartree-Fock近似 | 第19-20页 |
| ·密度泛函理论 | 第20-31页 |
| ·Hobenberg-Kohn定理 | 第21-24页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第24-25页 |
| ·局域密度近似(LDA)和局域自旋密度近似(LSDA) | 第25-26页 |
| ·广义梯度近似(GGA) | 第26-28页 |
| ·赝势平面波方法 | 第28-29页 |
| ·模守恒赝势 | 第29-31页 |
| ·超软赝势 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 γ-GeSi_2N_4的稳定性、电子结构和光学性质的第一原理研究 | 第33-51页 |
| ·概述 | 第33页 |
| ·计算模型和方法 | 第33-35页 |
| ·结构优化和稳定性 | 第35-39页 |
| ·电子结构 | 第39-41页 |
| ·光学性质 | 第41-50页 |
| ·基本光学常数n和k | 第41-42页 |
| ·介质中的极化 | 第42-43页 |
| ·光学常数的色散 | 第43-47页 |
| ·尖晶石氮化物的光学性质 | 第47-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第四章 总结和展望 | 第51-53页 |
| 攻读硕士期间的工作情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |