| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-23页 |
| ·纳米结构的概念 | 第8页 |
| ·纳米结构体系的特性与意义 | 第8-9页 |
| ·功能纳米结构基元的化学控制合成 | 第9-10页 |
| ·纳米半导体的物理和化学特性及潜在应用前景 | 第10-12页 |
| ·纳米半导体的物理和化学特性 | 第10-12页 |
| ·纳米半导体的潜在应用前景 | 第12页 |
| ·硫属纳米半导体的应用及性质 | 第12-13页 |
| ·硫化物纳米半导体的制备 | 第13-18页 |
| ·水热法(hydrothermal method) | 第13-14页 |
| ·声化学法 (sonochemistry method) | 第14-16页 |
| ·沉淀反应(precipitation reactions ) | 第16-17页 |
| ·气相沉积法(CVD) | 第17-18页 |
| ·其它方法 | 第18页 |
| ·场发射材料 | 第18-20页 |
| ·研究意义与现状 | 第18页 |
| ·半导体及纳米结构场发射 | 第18-19页 |
| ·场发射理论模型 | 第19-20页 |
| ·分子自组装法制备纳米结构 | 第20-21页 |
| ·本课题的意义 | 第21-23页 |
| 第2章 气─固相反应法控制合成 CuS 纳米结构及其场发射性质 | 第23-35页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·实验部分 | 第23-25页 |
| ·铜片的处理 | 第23-24页 |
| ·CuS 的制备 | 第24页 |
| ·样品分析测试方法 | 第24-25页 |
| ·场发射性能测试方法 | 第25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-34页 |
| ·升温速度对产物形貌的影响 | 第25-26页 |
| ·载气气流速度对产物形貌的影响 | 第26-27页 |
| ·反应温度对产物形貌的影响 | 第27-29页 |
| ·硫化铜纳米墙不同部位的 EDS 分析及生长机理讨论 | 第29-31页 |
| ·硫化铜纳米墙的 XPS、XRD、SAED 分析 | 第31-32页 |
| ·纳米墙及多极树枝晶 CuS 场发射性质研究 | 第32-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第3章 低热固相反应法合成硫化铜纳米墙阵列及其场发射性质研究 | 第35-42页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·实验部分 | 第35-36页 |
| ·铜片的处理 | 第35页 |
| ·室温固相反应法制备 CuxS 纳米墙 | 第35-36页 |
| ·样品分析测试方法 | 第36页 |
| ·样品的场发射性质测试 | 第36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-41页 |
| ·样品的形貌分析 | 第36-37页 |
| ·样品的物相分析 | 第37-38页 |
| ·样品的光电子能谱(XPS) | 第38-39页 |
| ·可能的生长机理 | 第39页 |
| ·样品的场发射性质测试 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 第4章 含氰基的C_(60)衍生物在金属表面的自组装 | 第42-49页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·含氰基的C_(60)衍生物在金纳米粒子表面的自组装 | 第42-47页 |
| ·实验仪器及试剂 | 第42-43页 |
| ·含氰基的C_(60)衍生物的合成 | 第43页 |
| ·金纳米粒子的制备 | 第43页 |
| ·含氰基 C_(60)衍生物的金纳米粒子制备 | 第43-44页 |
| ·实验结果与讨论 | 第44-47页 |
| ·含氰基的C_(60)衍生物在铜表面的自组装 | 第47-48页 |
| ·实验 | 第47页 |
| ·实验结果及讨论 | 第47-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 第5章 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第59页 |
