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低功耗RF CMOS低噪声放大器的设计

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-11页
   ·研究背景第9-10页
   ·本文的基本结构第10-11页
第二章 无线接收机系统分析第11-16页
   ·接收机前端结构分析第11-13页
   ·接收机系统模拟第13-14页
   ·小结第14-16页
第三章 CMOS器件特性第16-24页
   ·NMOS晶体管第16-17页
   ·MIM电容第17-19页
   ·电阻第19-20页
   ·螺旋式电感第20-23页
   ·小结第23-24页
第四章 噪声与非线性特性第24-38页
   ·噪声第24-31页
     ·热噪声(Thermal noise)第24-26页
     ·闪烁噪声(Flicker noise)第26-28页
     ·MOSFET的噪声第28-29页
     ·噪声指数第29-31页
   ·非线性特性第31-37页
     ·线性定义第31页
     ·产生非线性的原因第31页
     ·非线性造成的后果第31-37页
       ·谐波失真(Harmonic Distortion)第32-33页
       ·1-dB压缩点(1-dB compression point)第33-34页
       ·互调失真(Inter-Modulation Distortion;IMD)第34-37页
     ·系统的非线性第37页
   ·小结第37-38页
第五章 低功耗RF CMOS低噪声放大器的实现第38-66页
   ·简介第38页
   ·放大器噪声模型第38-40页
   ·LNA的各种拓扑结构及比较第40-44页
     ·电阻匹配共源结构第41页
     ·跨导匹配共栅结构第41-42页
     ·并联-串联式反馈结构第42-43页
     ·电感共源极负反馈匹配结构第43-44页
   ·共源共栅(cascode)结构的低噪声放大器第44-49页
     ·传统的共源共栅结构(cascode)的低噪声放大器第44-48页
     ·改进的共源共栅(cascode)结构的低噪声放大器第48-49页
   ·功耗约束的 LNA的噪声优化技术第49-53页
   ·低功耗CMOS LNA的设计步骤第53-55页
   ·低功耗RF CMOS LNA的实现第55-64页
     ·用TSMC 0.18um CMOS工艺实现的差分结构的低功耗LNA第56-57页
     ·前仿真结果第57-60页
     ·后仿真的结果第60-63页
     ·前后仿真结果比较第63页
     ·本设计与近年来CMOS LNA设计的比较第63-64页
     ·版图第64页
   ·小结第64-66页
第六章 结论第66-68页
参考文献第68-71页
附录 A 二端口网络的噪声理论第71-74页
 A.1 二端口网络的噪声因子第71-72页
 A.2 最优的源噪声导纳第72-73页
 A.3 经典噪声优化方法的局限第73-74页
附录 B S参数第74-76页
附录 C 前仿真的输出网表第76-81页
致谢第81-82页
攻读学位期间发表的学术论文目录第82页

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