| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| ·快离子导体的结构特征 | 第10-11页 |
| ·快离子导体的离子电导率 | 第11-12页 |
| ·快离子导体的研究现状 | 第12-13页 |
| ·电致变色器件中的快离子导体 | 第13-17页 |
| ·TAO_X离子导体 | 第17-18页 |
| ·目前存在的问题 | 第18-19页 |
| ·本课题的研究目的及意义 | 第19-20页 |
| ·常见的薄膜制备工艺 | 第20-22页 |
| 2 溅射镀膜原理 | 第22-26页 |
| ·溅射机理及特点 | 第22-23页 |
| ·基本溅射类型 | 第23-26页 |
| 3 实验 | 第26-32页 |
| ·实验设备及材料 | 第26页 |
| ·薄膜的制备 | 第26-27页 |
| ·薄膜的性能测试 | 第27-32页 |
| 4 TAO_X 薄膜离子电导性能和结构研究 | 第32-44页 |
| ·工艺参数对TAO_X薄膜离子导电性能和结构的影响 | 第32-38页 |
| ·V/A 曲线分析 | 第38页 |
| ·制备工艺参数对TAO_X薄膜电阻率的影响 | 第38-39页 |
| ·薄膜的结构——X 射线衍射分析 | 第39-40页 |
| ·薄膜的表面形貌——扫描隧道显微镜（STM）分析 | 第40-42页 |
| ·薄膜的开关响应时间和循环寿命 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5 TAO_X:ZR 薄膜制备工艺及离子导电特性能研究 | 第44-52页 |
| ·掺杂工艺参数对TAO_X:ZR 薄膜离子导电特性影响 | 第44-48页 |
| ·薄膜的X 衍射分析 | 第48-49页 |
| ·TAO_X:ZR 薄膜的电阻率 | 第49-50页 |
| ·掺杂薄膜的开关相应时间和循环寿命 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 6 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第57-58页 |
| 独创性声明 | 第58页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第58页 |
