| 第一章 绪论 | 第1-28页 |
| ·研究背景 | 第7页 |
| ·CO_2与CH_3OH直接合成DMC的研究现状与存在的问题 | 第7-9页 |
| ·CO_2与CH_3OH直接合成DMC研究的意义与现状 | 第7-9页 |
| ·均相催化反应研究现状 | 第8-9页 |
| ·多相催化反应研究现状 | 第9页 |
| ·CO_2与CH_3OH直接合成DMC存在的问题 | 第9页 |
| ·光催化反应研究概况 | 第9-16页 |
| ·半导体光催化的反应原理 | 第10-11页 |
| ·光促表面催化反应的评价 | 第11-12页 |
| ·半导体光催化反应的影响因素 | 第12-13页 |
| ·固体材料光催化活性的增强途径 | 第13-16页 |
| ·CO_2催化还原研究概况 | 第16-21页 |
| ·CO_2分子结构分析 | 第16页 |
| ·CO_2吸附活化 | 第16-18页 |
| ·光催化CO_2还原的研究进展 | 第18-21页 |
| ·TiO_2催化CO_2还原 | 第19-20页 |
| ·Ⅱ-Ⅳ族半导体催化CO_2还原 | 第20-21页 |
| ·其他半导体催化CO_2还原 | 第21页 |
| ·CH_3OH的催化氧化概况 | 第21-26页 |
| ·CH_3OH的化学键与分子结构特点 | 第21-22页 |
| ·甲醇的吸附活化 | 第22-24页 |
| ·甲醇在金属上的吸附活化 | 第22-23页 |
| ·甲醇在金属氧化物上的吸附活化 | 第23-24页 |
| ·甲醇光催化研究进展 | 第24-26页 |
| ·本课题研究的思路、内容与创新之处 | 第26-28页 |
| ·研究思路 | 第26页 |
| ·研究内容 | 第26-27页 |
| ·本课题的创新之处 | 第27-28页 |
| 第二章 实验方法 | 第28-37页 |
| ·负载型复合半导体的设计与制备方法的选择 | 第28-29页 |
| ·载体的选择 | 第28页 |
| ·负载型复合半导体表面活性基元的选择 | 第28页 |
| ·制备方法的选择 | 第28-29页 |
| ·催化剂的制备 | 第29-30页 |
| ·主要原料和试剂 | 第29页 |
| ·载体SiO_2的预处理 | 第29页 |
| ·SiO_2负载半导体的制备 | 第29-30页 |
| ·金属修饰的负载型复合半导体的制备 | 第30页 |
| ·催化剂的表征方法 | 第30-33页 |
| ·比表面测定(BET) | 第30页 |
| ·X-射线衍射分析(XRD) | 第30-31页 |
| ·程序升温还原表征(TPR) | 第31页 |
| ·激光拉曼光谱分析(Raman) | 第31页 |
| ·透射电镜(TEM)分析 | 第31-32页 |
| ·红外光谱分析(IR) | 第32-33页 |
| ·紫外—可见漫反射光谱分析(UV-Vis DRS) | 第33页 |
| ·化学吸附性能表征 | 第33-34页 |
| ·负载型复合半导体—气体吸附红外光谱分析 | 第33-34页 |
| ·程序升温脱附—质谱(TPD-MS)实验 | 第34页 |
| ·光催化反应性能评价 | 第34-37页 |
| ·实验装置 | 第35-36页 |
| ·光催化反应结果计算 | 第36-37页 |
| 第三章 固体材料的表面组成与结构 | 第37-53页 |
| ·固体材料的化学组成与编号 | 第37页 |
| ·固体材料的表面结构分析 | 第37-52页 |
| ·XRD谱图分析 | 第37-39页 |
| ·TEM分析 | 第39-41页 |
| ·固体材料的表面积、表面密度 | 第41-43页 |
| ·TPR结果分析 | 第43-45页 |
| ·Raman谱图分析 | 第45-48页 |
| ·IR谱图分析 | 第48-51页 |
| ·SiO_2负载型复合半导体的表面构造模型 | 第51-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第四章 固体材料的能带结构与光响应性能 | 第53-63页 |
| ·固体材料的能带结构 | 第53-57页 |
| ·负载型半导体的能带宽度与量子尺寸效应 | 第53页 |
| ·负载型复合半导体的能带结构 | 第53-57页 |
| ·金属修饰的负载型复合半导体的能带结构 | 第57页 |
| ·固体材料的光响应性能 | 第57-62页 |
| ·Cu/NiO-V_2O_5/SiO_2系固体材料的光响应性能 | 第57-59页 |
| ·NiO-MoO_3/SiO_2系固体材料的光响应性能 | 第59-60页 |
| ·NiO-TiO_2/SiO_2系固体材料的光响应性能 | 第60-61页 |
| ·固体材料光响应性能的比较与分析 | 第61-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第五章 固体材料的化学吸附性能 | 第63-79页 |
| ·CO_2在固体材料表面的化学吸附 | 第63-72页 |
| ·CO_2在负载型复合半导体材料表面吸附的IR结果 | 第63-65页 |
| ·CO_2在NiO-V_2O_5/SiO_2表面化学吸附的IR结果 | 第63-64页 |
| ·CO_2在NiO-MoO_3/SiO_2表面化学吸附的IR结果 | 第64页 |
| ·CO_2在NiO-TiO_2/SiO_2表面化学吸附的IR结果 | 第64-65页 |
| ·CO_2在掺杂Cu的复合半导体材料表面吸附的IR结果 | 第65-68页 |
| ·CO_2在Cu/NiO-V_2O_5/SiO_2表面吸附的IR结果 | 第65-66页 |
| ·CO_2在Cu/NiO-MoO_3/SiO_2表面吸附的IR结果 | 第66-67页 |
| ·CO_2在Cu/NiO-TiO_2/SiO_2表面吸附的IR结果 | 第67-68页 |
| ·CO_2在固体材料表面吸附的TPD-MS结果 | 第68-70页 |
| ·CO_2在固体材料上的吸附模型 | 第70-72页 |
| ·CH_3OH在固体材料表面的化学吸附 | 第72-77页 |
| ·CH_3OH在固体材料表面吸附的IR结果 | 第72-75页 |
| ·Cu/NiO-V_2O_5/SiO_2系材料吸附CH_3OH的IR结果 | 第72-73页 |
| ·Cu/NiO-MoO_3/SiO_2系材料吸附CH_3OH的IR结果 | 第73-74页 |
| ·Cu/NiO-TiO_2/SiO_2系材料吸附CH_3OH的IR结果 | 第74-75页 |
| ·CH_3OH在固体材料表面吸附的TPD-MS结果 | 第75-76页 |
| ·CH_3OH在固体材料表面的吸附模型 | 第76-77页 |
| ·小结 | 第77-79页 |
| 第六章 固体材料的光催化反应性能 | 第79-89页 |
| ·对照实验结果与分析 | 第79-80页 |
| ·不同固体材料的光催化反应结果 | 第80-82页 |
| ·反应条件对光催化反应性能的影响 | 第82-87页 |
| ·反应温度的影响 | 第82-85页 |
| ·反应物配比的影响 | 第85-86页 |
| ·空速的影响 | 第86-87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 第七章 光催化反应机理分析与规律总结 | 第89-96页 |
| ·负载型Cu-复合半导体光催化反应机理 | 第89-91页 |
| ·光催化CO_2和CH_3OH合成DMC的反应机理 | 第89-91页 |
| ·光催化反应中其它产物的生成机理 | 第91页 |
| ·光催化反应性能的影响因素 | 第91-93页 |
| ·半导体的复合效应 | 第91-92页 |
| ·表面金属的作用 | 第92页 |
| ·热—表面—光协同作用 | 第92-93页 |
| ·今后工作的设想 | 第93-94页 |
| ·优化固体材料 | 第93-94页 |
| ·反应器结构的优化 | 第94页 |
| ·小结 | 第94-96页 |
| 第八章 结论 | 第96-98页 |
| 参考文献 | 第98-112页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第112-113页 |
| 附录 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115页 |
