| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-12页 |
| 第二章 平板显示技术的回顾和发展 | 第12-26页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·有源矩阵液晶显示技术 | 第13-20页 |
| ·AMLCD的分类及特点 | 第14-17页 |
| ·二端子元件 | 第15页 |
| ·三端子元件 | 第15-17页 |
| ·薄膜晶体管TFT基本结构和工作原理 | 第17-20页 |
| ·TFT器件结构 | 第18页 |
| ·TFT器件的工作原理 | 第18-20页 |
| ·有源矩阵有机电致发光显示(OLED) | 第20-26页 |
| ·OLED技术的发展 | 第21-22页 |
| ·OLED的驱动方式 | 第22-26页 |
| ·OLED无源矩阵(PASSIVE MATRIX-PM)驱动方式 | 第22页 |
| ·OLED有源矩阵(ACTIVE MATRIX-AM)驱动方式 | 第22-26页 |
| 第三章 多晶硅薄膜的常用制备方法 | 第26-34页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第26-27页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD) | 第27页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD) | 第27页 |
| ·固相晶化 | 第27-28页 |
| ·准分子激光退火 | 第28-30页 |
| ·快速热退火 | 第30页 |
| ·金属诱导固相晶化(MIC) | 第30-34页 |
| ·MIC/MILC TFT的发展 | 第30-32页 |
| ·MIC/MILC原理 | 第32-33页 |
| ·MILC的优点 | 第33-34页 |
| 第四章 金属诱导横向晶化多晶硅薄膜的制备 | 第34-46页 |
| ·实验材料及玻璃基底的清洗 | 第34-35页 |
| ·薄膜沉积材料 | 第34页 |
| ·基片材料及基片清洗方法 | 第34-35页 |
| ·非晶硅的淀积原理 | 第35-38页 |
| ·PECVD法制备A-SI：H薄膜的生长机制 | 第35-38页 |
| ·A-SI：H的结构 | 第38页 |
| ·非晶硅薄膜的制备 | 第38-43页 |
| ·PECVD设备结构及操作 | 第38-41页 |
| ·薄膜沉积材料 | 第41页 |
| ·非晶硅薄膜的制备 | 第41-43页 |
| ·金属诱导横向晶化(MILC)多晶硅薄膜的制备 | 第43-46页 |
| ·诱导金属镍NI薄膜的制备 | 第43-44页 |
| ·退火炉的改造 | 第44-45页 |
| ·A-SI：H薄膜的退火处理 | 第45-46页 |
| 第五章 多晶硅薄膜性能的测试与分析 | 第46-58页 |
| ·膜厚的测试 | 第46-47页 |
| ·退火条件对晶化的影响 | 第47-49页 |
| ·退火环境温度对多晶硅结晶的影响 | 第47-48页 |
| ·光辐射参数对晶化的影响 | 第48-49页 |
| ·透射电镜(TEM)测试 | 第49-54页 |
| ·波谱分析(WDS) | 第54-58页 |
| 第六章 TFT的制备与特性测试 | 第58-66页 |
| ·TFT制作准备工艺的探索 | 第58-62页 |
| ·TFT中硅的刻蚀工艺 | 第58-60页 |
| ·氮化硅(SINX)的刻蚀 | 第60-61页 |
| ·TFT电极镍铬合金的刻蚀 | 第61-62页 |
| ·TFT结构设计与制备工艺 | 第62-63页 |
| ·对TFT的测试 | 第63-66页 |
| 第七章 结论 | 第66-68页 |
| ·本论文的主要结论 | 第66-67页 |
| ·本文工作展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间完成的论文及科研情况 | 第72页 |