生长Φ8“直拉硅单晶Φ8”热场研究及数值模拟
| 第一章 绪论 | 第1-27页 |
| 1-1 半导体工业发展现状 | 第7-8页 |
| 1-1-1 半导体硅材料 | 第7页 |
| 1-1-2 硅单晶的大直径化 | 第7-8页 |
| 1-2 硅单晶中的主要杂质 | 第8-10页 |
| 1-2-1 硅中的氧碳 | 第8-9页 |
| 1-2-2 氧碳的控制 | 第9-10页 |
| 1-3 直拉硅单晶的制备理论 | 第10-15页 |
| 1-3-1 单晶生长工艺 | 第10-11页 |
| 1-3-2 直拉硅单晶生长的工艺过程 | 第11-15页 |
| 1-4 有限元法在晶体生长中的应用 | 第15-24页 |
| 1-4-1 有限元法简介 | 第16页 |
| 1-4-2 加权余量法 | 第16-18页 |
| 1-4-3 迦辽金法(Galerkin) | 第18-20页 |
| 1-4-4 迦辽金加权余量法 | 第20-24页 |
| 1-5 温度测量 | 第24-26页 |
| 1-6 本文的主要研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 热场 | 第27-34页 |
| 2-1 直拉单晶硅生长过程中的热传输 | 第27-28页 |
| 2-2 熔体热对流 | 第28-30页 |
| 2-3 直拉硅单晶的减压工艺 | 第30-32页 |
| 2-3-1 减压工作的意义 | 第30页 |
| 2-3-2 工艺参数 | 第30-31页 |
| 2-3-3 氩气导流 | 第31-32页 |
| 2-4 热场的重要性 | 第32-34页 |
| 第三章 热屏对晶体氧含量的影响 | 第34-40页 |
| 3-1 实验和数值模拟 | 第34-37页 |
| 3-2 结果和讨论 | 第37-39页 |
| 3-3 小结 | 第39-40页 |
| 第四章 热屏对拉晶速率的影响 | 第40-46页 |
| 4-1 熔体纵向温度梯度测定实验 | 第40-42页 |
| 4-2 实验结果与分析 | 第42-45页 |
| 4-3 小结 | 第45-46页 |
| 第五章 Φ18"复合热系统熔体热场的数值模拟 | 第46-53页 |
| 5-1 热场的数值模拟 | 第46-48页 |
| 5-2 模拟结果 | 第48-52页 |
| 5-3 分析与讨论 | 第52页 |
| 5-4 小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第58页 |
