| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 符号及缩写注释表 | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-28页 |
| 1．1 超导现象 | 第10页 |
| 1．2 超导的历史和发展现状 | 第10-14页 |
| 1．3 超导体的基本理论 | 第14-15页 |
| 1．3．1 BCS理论 | 第14页 |
| 1．3．2 高温超导理论 | 第14-15页 |
| 1．4 溅射镀膜技术 | 第15-20页 |
| 1．4．1 概述 | 第15-16页 |
| 1．4．2 溅射原理 | 第16页 |
| 1．4．3 溅射过程 | 第16-17页 |
| 1．4．4 溅射特性 | 第17页 |
| 1．4．5 溅射类型 | 第17-20页 |
| 1．5 高温超导薄膜研究的重要性及其应用 | 第20-21页 |
| 1．6 铊系高温超导体简介 | 第21-25页 |
| 1．6．1 铊系超导体的优越性 | 第21-22页 |
| 1．6．2 铊系高温超导薄膜的制备方法 | 第22-23页 |
| 1．6．3 铊系高温超导薄膜的研究现状 | 第23-25页 |
| 1．7 本论文的目的、意义及主要研究内容 | 第25-28页 |
| 第2章 实验设备、过程及分析方法 | 第28-44页 |
| 2．1 实验设备简介 | 第28-30页 |
| 2．1．1 射频磁控溅射沉积系统 | 第28-29页 |
| 2．1．2 铊蒸气退火炉简介 | 第29-30页 |
| 2．2 射频磁控溅射法制备前驱物薄膜 | 第30-37页 |
| 2．2．1 靶材的制备 | 第30-32页 |
| 2．2．2 基片的选择 | 第32-34页 |
| 2．2．3 基片的清洗 | 第34页 |
| 2．2．4 溅射参数的选择 | 第34-35页 |
| 2．2．5 溅射制备前驱物薄膜 | 第35-37页 |
| 2．3 前驱物薄膜的铊化后处理退火 | 第37-42页 |
| 2．3．1 研究目的及内容 | 第37-41页 |
| 2．3．2 实验过程及操作步骤 | 第41-42页 |
| 2．4 实验分析方法 | 第42-43页 |
| 2．4．1 X射线衍射分析 | 第42页 |
| 2．4．2 成分分析 | 第42页 |
| 2．4．3 扫描电子显微分析 | 第42页 |
| 2．4．4 超导临界转变温度Tc的测量 | 第42-43页 |
| 2．5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 实验结果分析与讨论 | 第44-62页 |
| 3．1 靶材成分对薄膜相组成与性能的影响 | 第44-48页 |
| 3．1．1 溅射靶材的相组成分析 | 第44-45页 |
| 3．1．2 前驱物薄膜的相、成分和膜厚分析 | 第45-46页 |
| 3．1．3 前驱物薄膜铊化处理后的结果 | 第46-48页 |
| 3．2 Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成与性能的影响 | 第48-54页 |
| 3．2．1 Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成的影响 | 第48-51页 |
| 3．2．2 Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜表面形貌的影响 | 第51-53页 |
| 3．2．3 Tl2O分压对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜临界温度Tc的影响 | 第53-54页 |
| 3．3 铊化温度对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成与性能的影响 | 第54-61页 |
| 3．3．1 铊化温度对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜相组成的影响 | 第54-57页 |
| 3．3．2 铊化温度对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜表面形貌的影响 | 第57-60页 |
| 3．3．3 铊化温度对Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜临界温度Tc的影响 | 第60-61页 |
| 3．4 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 作者简介 | 第71页 |
