| 第一章 绪论 | 第1-14页 |
| 1．1 金刚石的优异性能 | 第7-9页 |
| 1．2 化学气相沉积（CVD）法概述 | 第9-11页 |
| 1．2．1 CVD法的产生背景 | 第9-10页 |
| 1．2．2 CVD法的原理 | 第10页 |
| 1．2．3 CVD法生成金刚石膜的过程和基本条件 | 第10-11页 |
| 1．2．4 CVD法的发展 | 第11页 |
| 1．3 金刚石膜的检测 | 第11-12页 |
| 1．4 本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 CVD法概述 | 第14-29页 |
| 2．1 CVD法的非平衡热力学耦合模型 | 第14-15页 |
| 2．2 CVD法生长金刚石膜的动力学模型 | 第15-18页 |
| 2．3 常用CVD金刚石膜的合成方法 | 第18-25页 |
| 2．3．1 热丝CVD法 | 第18-19页 |
| 2．3．2 电子辅助热丝CVD法 | 第19页 |
| 2．3．3 直流等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）法 | 第19-20页 |
| 2．3．4 射频等离子体化学气相沉积（Rf-PCVD）法 | 第20-21页 |
| 2．3．5 微波等离子体化学气相沉积（UW-PCVD）法 | 第21-22页 |
| 2．3．6 电子回旋共振微波CVD法 | 第22-23页 |
| 2．3．7 脉冲等离子体化学气相沉积法 | 第23-24页 |
| 2．3．8 火焰燃烧法 | 第24-25页 |
| 2．3．9 新发展的方法 | 第25页 |
| 2．4 CVD法沉积金刚石薄膜的发展方向 | 第25-29页 |
| 2．4．1 CVD法总结 | 第25-26页 |
| 2．4．2 当前产业化中要解决的关键技术 | 第26-28页 |
| 2．4．3 CVD法金刚石膜研究展望 | 第28-29页 |
| 第三章 金刚石膜沉积设备的结构与控制系统 | 第29-45页 |
| 3．1 成膜方法的选择 | 第29-30页 |
| 3．2 设备的总体方案 | 第30-38页 |
| 3．2．1 设备的工作原理 | 第30-31页 |
| 3．2．2 设备的总体结构 | 第31-34页 |
| 3．2．3 设备的各部分设计 | 第34-38页 |
| 3．3 设备设计中的细节问题 | 第38-45页 |
| 3．3．1 衬底材料的选择 | 第38-39页 |
| 3．3．2 热丝材质的选择 | 第39页 |
| 3．3．3 热丝装置的设计 | 第39-40页 |
| 3．3．4 设备冷却系统的设计 | 第40-41页 |
| 3．3．5 真空反应室的密封设计 | 第41页 |
| 3．3．6 设备的气源设计 | 第41-43页 |
| 3．3．7 其它关键的设计 | 第43-45页 |
| 第四章 金刚石膜沉积工艺研究 | 第45-55页 |
| 4．1 金刚石膜生成的基本条件 | 第45页 |
| 4．2 设备的工艺流程 | 第45-51页 |
| 4．2．1 衬底表面预处理 | 第45-46页 |
| 4．2．2 热丝碳化处理 | 第46-47页 |
| 4．2．3 金刚石膜成核及生长 | 第47-50页 |
| 4．2．4 金刚石膜与衬底分离 | 第50-51页 |
| 4．3 金刚石膜微观结构及质量分析 | 第51-53页 |
| 4．4 金刚石膜质量与主要工艺参数的关系 | 第53-55页 |
| 4．4．1 甲烷浓度的影响 | 第53-54页 |
| 4．4．2 热丝和衬底温度的影响 | 第54页 |
| 4．4．3 热丝和衬底间距的影响 | 第54-55页 |
| 第五章 结束语 | 第55-57页 |
| 5．1 工作总结 | 第55页 |
| 5．2 工作展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
