| 致谢 | 第1-5页 |
| 发表论文目录及获奖、专利 | 第5-11页 |
| <中文摘要> | 第11-13页 |
| <英文摘要> | 第13-19页 |
| 引言 | 第19-22页 |
| 第一章 文献综述 | 第22-51页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·真空微电子学和场发射平板显示器件的发展 | 第23-28页 |
| ·金刚石和类金刚石薄膜在场发射平板显示器件中的优势和应用前景 | 第28-30页 |
| ·金刚石薄膜电子场发射研究进展 | 第30-36页 |
| ·金刚石薄膜的电子发射性能研究进展 | 第36-40页 |
| ·金刚石薄膜电子场发射机制模型 | 第40-44页 |
| ·本工作的研究思路 | 第44-46页 |
| <参考文献> | 第46-51页 |
| 第二章 无氢非晶金刚石薄膜的制备、表征技术及其电子场发射性能测试 | 第51-72页 |
| ·引言 | 第51-53页 |
| ·真空磁过滤弧源沉积系统的结构和工作原理 | 第53-58页 |
| ·真空磁过滤弧源沉积非晶金刚石薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·真空磁过滤弧源沉积非晶金刚石薄膜的结构、成分和性能 | 第59-63页 |
| ·非晶金刚石薄膜的电子场发射性能试测 | 第63-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| <参考文献> | 第70-72页 |
| 第三章 无氢非晶金刚石薄膜的电子场发射性能研究 | 第72-103页 |
| ·引言 | 第72-74页 |
| ·不同sp~3键含量非晶金刚石薄膜的电子场发射性能 | 第74-86页 |
| ·氢等离子体表面处理对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 | 第86-91页 |
| ·退火对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 | 第91-96页 |
| ·氮掺杂对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 | 第96-99页 |
| ·本章小结 | 第99-101页 |
| <参考文献> | 第101-103页 |
| 第四章 界面金属过渡层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 | 第103-122页 |
| ·引言 | 第103-104页 |
| ·Ti、Au金属界面层对非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 | 第104-111页 |
| ·退火对具有金属Ti界面层的非晶金刚石薄膜电子场发射性能的影响 | 第111-119页 |
| ·本章小结 | 第119-121页 |
| <参考文献> | 第121-122页 |
| 第五章 非晶金刚石薄膜的图形化及其电子场发射性能研究 | 第122-136页 |
| ·引言 | 第122-124页 |
| ·非晶金刚石柱状阵列的制作及其电子场发射性能研究 | 第124-134页 |
| ·本章小结 | 第134-135页 |
| <参考文献> | 第135-136页 |
| 第六章 非晶金刚石薄膜孔洞阵列的制作及其电子场发射性能研究 | 第136-147页 |
| ·理论和实验依据 | 第136-138页 |
| ·非晶金刚石薄膜孔洞阵列的制作 | 第138-141页 |
| ·非晶金刚石薄膜孔洞阵列的电子场发射性能 | 第141-143页 |
| ·非晶金刚石孔洞阵列的电子场发射机制探讨 | 第143-145页 |
| ·本章小结 | 第145-146页 |
| <参考文献> | 第146-147页 |
| 第七章 结语 | 第147-151页 |
| 个人简历 | 第151页 |
