摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-13页 |
第1章 绪论 | 第13-31页 |
·引言 | 第13-14页 |
·固体润滑薄膜 | 第14-19页 |
·固体润滑薄膜的作用机理 | 第14-15页 |
·固体润滑薄膜的性能 | 第15-16页 |
·固体润滑薄膜的摩擦磨损 | 第16-19页 |
·WS_2材料概述 | 第19-29页 |
·WS_2材料的基本性质 | 第19-21页 |
·WS_2材料的主要用途 | 第21-22页 |
·WS_2薄膜的常用制备方法 | 第22-23页 |
·WS_2固体润滑薄膜的作用机理 | 第23-25页 |
·关于WS_2薄膜的研究进展 | 第25-29页 |
·本课题的研究内容 | 第29-31页 |
第2章 WS_2薄膜的制备 | 第31-51页 |
·引言 | 第31页 |
·溅射镀膜的原理及特点 | 第31-36页 |
·直流溅射 | 第31-33页 |
·磁控溅射 | 第33-34页 |
·反应溅射 | 第34-35页 |
·射频溅射 | 第35-36页 |
·WS_2薄膜制备方法的研究 | 第36-38页 |
·反应磁控溅射法制备WS_2薄膜 | 第36-37页 |
·射频溅射法制备WS_2薄膜 | 第37页 |
·硫化法制备WS_2薄膜 | 第37页 |
·其它方法制备WS_2薄膜 | 第37-38页 |
·WS_2薄膜的制备工艺 | 第38-49页 |
·试验方案 | 第38-39页 |
·试验材料及设备 | 第39-44页 |
·样品制备工艺 | 第44-47页 |
·试验操作步骤 | 第47-49页 |
·本章小结 | 第49-51页 |
第3章 硫化法制备WS_2薄膜的研究 | 第51-65页 |
·引言 | 第51-52页 |
·硫化法WS_2薄膜的表征、测试及分析 | 第52-59页 |
·硫化法WS_2薄膜物相分析 | 第52-54页 |
·硫化法WS_2薄膜表面形貌观察 | 第54-56页 |
·硫化法WS_2薄膜化学成份分析 | 第56-57页 |
·硫化法WS_2薄膜膜厚测定 | 第57-58页 |
·硫化法WS_2薄膜膜基结合强度测试 | 第58-59页 |
·硫化法WS_2薄膜的摩擦磨损性能 | 第59-62页 |
·本章小结 | 第62-65页 |
第4章 射频溅射法制备WS_2薄膜的研究 | 第65-89页 |
·引言 | 第65页 |
·射频溅射WS_2薄膜的表征、测试及分析 | 第65-79页 |
·射频溅射WS_2薄膜物相分析 | 第65-68页 |
·射频溅射WS_2薄膜表面形貌观察 | 第68-72页 |
·射频溅射WS_2薄膜化学成分分析 | 第72-74页 |
·射频溅射WS_2薄膜膜厚测定 | 第74-76页 |
·射频溅射WS_2薄膜膜基结合强度测试 | 第76-79页 |
·射频溅射WS_2薄膜的摩擦磨损性能 | 第79-86页 |
·射频溅射气压对薄膜摩擦学性能的影响 | 第82-83页 |
·射频溅射功率对薄膜摩擦学性能的影响 | 第83-85页 |
·射频溅射沉积时间对薄膜摩擦学性能的影响 | 第85-86页 |
·本章小结 | 第86-89页 |
第5章 两种WS_2薄膜制备方法的比较 | 第89-95页 |
·引言 | 第89页 |
·硫化法和射频溅射法制备WS_2薄膜的比较 | 第89-93页 |
·WS_2薄膜结构和表面形貌的比较 | 第89-90页 |
·WS_2薄膜化学成分和厚度的比较 | 第90-91页 |
·WS_2薄膜结合强度和摩擦磨损性能的比较 | 第91-93页 |
·结论 | 第93-95页 |
第6章 Ti/Ni过渡层及退火处理对射频溅射WS_2薄膜性能的影响 | 第95-111页 |
·引言 | 第95-96页 |
·实验部分 | 第96-98页 |
·试验材料 | 第96页 |
·试验方法 | 第96-98页 |
·结果及分析 | 第98-109页 |
·物相分析 | 第98-100页 |
·表面形貌及微区化学成分分析 | 第100-103页 |
·膜厚结合力测试 | 第103-104页 |
·摩擦性能分析 | 第104-109页 |
·本章小结 | 第109-111页 |
第7章 结论 | 第111-115页 |
·结论 | 第111-112页 |
·下一步可开展的工作 | 第112-115页 |
参考文献 | 第115-125页 |
致谢 | 第125-127页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第127-129页 |
个人简历 | 第129页 |