摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-12页 |
第1章 引言 | 第12-36页 |
·高温超导简介 | 第12-13页 |
·高温超导体的应用 | 第13-14页 |
·Bi系氧化物超导体 | 第14-16页 |
·Bi系超导薄膜制备 | 第16-17页 |
·超导薄膜的应用现状及存在问题 | 第17-19页 |
·Si衬底的使用 | 第19-20页 |
·Si衬底表面改型 | 第20-23页 |
·刻蚀分类 | 第21页 |
·湿法刻蚀 | 第21-23页 |
·本文的研究目的、意义及内容 | 第23-24页 |
·研究目的、意义 | 第23-24页 |
·研究内容 | 第24页 |
参考文献 | 第24-36页 |
第2章 实验方法及表征手段 | 第36-48页 |
·实验方法 | 第36-41页 |
·溶胶—凝胶方法 | 第36-37页 |
·溶胶—凝胶法类型 | 第36-37页 |
·溶胶—凝胶法薄膜制备 | 第37页 |
·Si的各向异性湿法刻蚀 | 第37-39页 |
·光刻工艺过程 | 第37-38页 |
·刻蚀技术 | 第38-39页 |
·液相沉积 | 第39-40页 |
·液相沉积原理 | 第40页 |
·射频磁控溅射 | 第40-41页 |
·磁控溅射原理 | 第41页 |
·表征手段 | 第41-46页 |
·X射线衍射谱 | 第41-43页 |
·扫描电子显微镜 | 第43-44页 |
·X射线能量色散谱 | 第44页 |
·激光扫描共聚焦显微镜 | 第44-46页 |
·四引线法测量电学性能 | 第46页 |
参考文献 | 第46-48页 |
第3章 Si(100)衬底上"V"型槽制备 | 第48-64页 |
·引言 | 第48页 |
·实验过程 | 第48-51页 |
·刻蚀剂选择 | 第48-49页 |
·掩模选择 | 第49-50页 |
·实验装置 | 第50-51页 |
·Si片刻蚀 | 第51页 |
·结果与讨论 | 第51-61页 |
·刻蚀时间影响 | 第53-56页 |
·刻蚀形貌优化 | 第56-58页 |
·掩模厚度的影响 | 第58-60页 |
·异性刻蚀基础上的同性刻蚀探索 | 第60-61页 |
·本章结论 | 第61页 |
参考文献 | 第61-64页 |
第4章 STO薄膜的制备 | 第64-86页 |
·引言 | 第64页 |
·实验过程 | 第64-67页 |
·衬底处理 | 第64-65页 |
·LPD法沉积STO | 第65-66页 |
·药品选择 | 第65页 |
·样品制备 | 第65-66页 |
·射频磁控溅射法沉积STO | 第66-67页 |
·实验设备 | 第66页 |
·样品制备 | 第66-67页 |
·结果与讨论 | 第67-82页 |
·LPD法制备STO薄膜 | 第68-76页 |
·LPD法热处理温度对STO薄膜成相的影响 | 第68-69页 |
·LPD法成膜过程及衬底正倒放置对STO薄膜表面形貌的影响 | 第69-72页 |
·LPD法亲水处理时间对STO薄膜的影响 | 第72-74页 |
·LPD法沉积温度和沉积时间对STO薄膜表面形貌的影响 | 第74-76页 |
·射频磁控溅射法制备STO薄膜 | 第76-82页 |
·射频磁控溅射法退火温度对STO薄膜取向的影响 | 第76-77页 |
·射频磁控溅射法溅射功率对STO薄膜取向的影响 | 第77-78页 |
·射频磁控溅射法溅射气压对STO薄膜取向的影响 | 第78-79页 |
·射频磁控溅射法衬底温度对STO薄膜取向的影响 | 第79-82页 |
·本章结论 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-86页 |
第5章 单晶STO及改型Si衬底上溶胶—凝胶旋涂法制备Bi-2212薄膜探索 | 第86-106页 |
·引言 | 第86页 |
·实验过程 | 第86-88页 |
·药品的选择 | 第86-87页 |
·薄膜的制备 | 第87-88页 |
·结果与讨论 | 第88-102页 |
·络合剂EDTA的选择和三乙醇胺的使用 | 第88-90页 |
·干燥过程的影响 | 第90-92页 |
·成相温度选择 | 第92-94页 |
·升温过程对表面形貌的影响 | 第94-97页 |
·旋涂溶胶次数(厚度)的影响 | 第97-99页 |
·Si衬底生长Bi-2212薄膜探索 | 第99-102页 |
·本章结论 | 第102-103页 |
参考文献 | 第103-106页 |
第6章 全文总结论 | 第106-108页 |
致谢 | 第108-109页 |
攻读博士期间已发表和在投论文 | 第109-110页 |
作者简介 | 第110页 |