首页--工业技术论文--一般工业技术论文--工程材料学论文--特种结构材料论文

利用表面改型Si衬底制备氧化物薄膜及生长机制研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第1章 引言第12-36页
   ·高温超导简介第12-13页
   ·高温超导体的应用第13-14页
   ·Bi系氧化物超导体第14-16页
   ·Bi系超导薄膜制备第16-17页
   ·超导薄膜的应用现状及存在问题第17-19页
   ·Si衬底的使用第19-20页
   ·Si衬底表面改型第20-23页
     ·刻蚀分类第21页
     ·湿法刻蚀第21-23页
   ·本文的研究目的、意义及内容第23-24页
     ·研究目的、意义第23-24页
     ·研究内容第24页
 参考文献第24-36页
第2章 实验方法及表征手段第36-48页
   ·实验方法第36-41页
     ·溶胶—凝胶方法第36-37页
       ·溶胶—凝胶法类型第36-37页
       ·溶胶—凝胶法薄膜制备第37页
     ·Si的各向异性湿法刻蚀第37-39页
       ·光刻工艺过程第37-38页
       ·刻蚀技术第38-39页
     ·液相沉积第39-40页
       ·液相沉积原理第40页
     ·射频磁控溅射第40-41页
       ·磁控溅射原理第41页
   ·表征手段第41-46页
     ·X射线衍射谱第41-43页
     ·扫描电子显微镜第43-44页
     ·X射线能量色散谱第44页
     ·激光扫描共聚焦显微镜第44-46页
     ·四引线法测量电学性能第46页
 参考文献第46-48页
第3章 Si(100)衬底上"V"型槽制备第48-64页
   ·引言第48页
   ·实验过程第48-51页
     ·刻蚀剂选择第48-49页
     ·掩模选择第49-50页
     ·实验装置第50-51页
     ·Si片刻蚀第51页
   ·结果与讨论第51-61页
     ·刻蚀时间影响第53-56页
     ·刻蚀形貌优化第56-58页
     ·掩模厚度的影响第58-60页
     ·异性刻蚀基础上的同性刻蚀探索第60-61页
   ·本章结论第61页
 参考文献第61-64页
第4章 STO薄膜的制备第64-86页
   ·引言第64页
   ·实验过程第64-67页
     ·衬底处理第64-65页
     ·LPD法沉积STO第65-66页
       ·药品选择第65页
       ·样品制备第65-66页
     ·射频磁控溅射法沉积STO第66-67页
       ·实验设备第66页
       ·样品制备第66-67页
   ·结果与讨论第67-82页
     ·LPD法制备STO薄膜第68-76页
       ·LPD法热处理温度对STO薄膜成相的影响第68-69页
       ·LPD法成膜过程及衬底正倒放置对STO薄膜表面形貌的影响第69-72页
       ·LPD法亲水处理时间对STO薄膜的影响第72-74页
       ·LPD法沉积温度和沉积时间对STO薄膜表面形貌的影响第74-76页
     ·射频磁控溅射法制备STO薄膜第76-82页
       ·射频磁控溅射法退火温度对STO薄膜取向的影响第76-77页
       ·射频磁控溅射法溅射功率对STO薄膜取向的影响第77-78页
       ·射频磁控溅射法溅射气压对STO薄膜取向的影响第78-79页
       ·射频磁控溅射法衬底温度对STO薄膜取向的影响第79-82页
   ·本章结论第82-83页
 参考文献第83-86页
第5章 单晶STO及改型Si衬底上溶胶—凝胶旋涂法制备Bi-2212薄膜探索第86-106页
   ·引言第86页
   ·实验过程第86-88页
     ·药品的选择第86-87页
     ·薄膜的制备第87-88页
   ·结果与讨论第88-102页
     ·络合剂EDTA的选择和三乙醇胺的使用第88-90页
     ·干燥过程的影响第90-92页
     ·成相温度选择第92-94页
     ·升温过程对表面形貌的影响第94-97页
     ·旋涂溶胶次数(厚度)的影响第97-99页
     ·Si衬底生长Bi-2212薄膜探索第99-102页
   ·本章结论第102-103页
 参考文献第103-106页
第6章 全文总结论第106-108页
致谢第108-109页
攻读博士期间已发表和在投论文第109-110页
作者简介第110页

论文共110页,点击 下载论文
上一篇:镁铝尖晶石、钇铝石榴石粉体的制备研究
下一篇:WS2薄膜制备工艺及其摩擦学性能的实验研究