| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·倍频效应和双光子吸收 | 第8-13页 |
| ·二次谐波产生、场致倍频效应和双光子吸收现象 | 第8-11页 |
| ·双光子响应技术的应用 | 第11-13页 |
| ·本论文的工作 | 第13-15页 |
| 参考文献 | 第15-23页 |
| 第二章 双光子响应基本理论和固浸透镜工作原理 | 第23-56页 |
| ·非线性光学耦合波方程 | 第23-24页 |
| ·倍频效应 | 第24-34页 |
| ·二次谐波产生 | 第24-28页 |
| ·光整流效应 | 第28-30页 |
| ·倍频极化强度和光整流极化强度 | 第30-32页 |
| ·倍频效应在其他方面的应用 | 第32-34页 |
| ·双光子吸收 | 第34-43页 |
| ·唯象的描述 | 第35-36页 |
| ·双光子耦合波方程 | 第36-43页 |
| ·固浸透镜工作原理 | 第43-50页 |
| ·衍射效应对显微镜空间分辨率的限制 | 第43-45页 |
| ·固浸透镜的基本原理 | 第45-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 第三章 半球形硅双光子响应光电探测器的研究 | 第56-93页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·硅的晶体结构和性质 | 第57-59页 |
| ·半球形 Si 探测器的制作 | 第59-62页 |
| ·Si 半球的制作 | 第60-61页 |
| ·电极的制作 | 第61-62页 |
| ·半球形 Si 探测器双光子响应特性的研究 | 第62-73页 |
| ·测量光电流的实验装置 | 第63-64页 |
| ·半球形Si 探测器的光电流与入射光功率的关系 | 第64-65页 |
| ·半球形Si 探测器的光电信号与外置偏压的关系 | 第65-66页 |
| ·半球形Si 探测器双光子吸收的各向异性 | 第66-73页 |
| ·硅材料场致倍频效应的研究 | 第73-87页 |
| ·破坏材料对称性的方法 | 第74-75页 |
| ·硅材料场致等效二阶极化率张量的形式 | 第75-79页 |
| ·硅材料场致倍频效应极化强度 | 第79-87页 |
| ·小结 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 第四章 半球形GaAs 双光子响应光电探测器的研究 | 第93-115页 |
| ·GaAs 的晶体结构和性质 | 第94-96页 |
| ·半球形 GaAs 探测器双光子响应特性的研究 | 第96-110页 |
| ·GaAs 半球的制作 | 第96-97页 |
| ·电极的制作 | 第97-98页 |
| ·测量光电信号的实验装置 | 第98-99页 |
| ·半球形GaAs 探测器的光电流与入射光功率的关系 | 第99-103页 |
| ·半球形GaAs 探测器双光子响应的各向异性 | 第103-109页 |
| ·半球形GaAs 探测器的光电信号与外加偏压的关系 | 第109-110页 |
| ·小结 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-115页 |
| 第五章 总结 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及其他成果 | 第118-120页 |
| 摘要 | 第120-122页 |
| ABSTRACT | 第122-124页 |
