| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| ·研究背景 | 第10-12页 |
| ·研究意义 | 第12-20页 |
| ·时间频率精确测量的意义 | 第12-13页 |
| ·原子钟的发展与分类 | 第13-16页 |
| ·铯原子钟 | 第16-20页 |
| ·852nm 激光器国内外研究状况 | 第20-21页 |
| ·852nm激光器国外研究状况 | 第20-21页 |
| ·852nm激光器国内研究状况 | 第21页 |
| ·光纤激光器概述 | 第21-25页 |
| ·稀土掺杂光纤激光器 | 第21-24页 |
| ·光纤激光器的优点 | 第24-25页 |
| ·论文主要工作 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-32页 |
| 第二章 850nm 波段相关光纤器件研制 | 第32-44页 |
| ·850nm 波段光纤布拉格光栅（FBG）的研制 | 第32-37页 |
| ·光纤布拉格光栅（FBG）制作原理 | 第32-36页 |
| ·光纤光栅写入方法 | 第36-37页 |
| ·850nm 波段光纤耦合器的研制 | 第37-38页 |
| ·800nm/850nm 波分复用器（WDM）的研 | 第38-39页 |
| ·等强度梁应力调谐装置的研制 | 第39-41页 |
| ·小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |
| 第三章 基于硅基掺铒光纤上转换852nm 激光实验研究 | 第44-58页 |
| ·激光上转换理论基础 | 第44-50页 |
| ·激光上转换原理 | 第44-48页 |
| ·掺铒(Er~(3+))光纤上转换性质 | 第48-50页 |
| ·基于氟化物掺铒850nm 光纤激光器研究简介 | 第50-51页 |
| ·基于硅基掺铒光纤850nm 上转换实验研究 | 第51-54页 |
| ·基于硅基掺铒光纤上转换实验结构及其结果分析 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 第四章 基于 SOA 852nm 可调谐光纤激光器实验研究 | 第58-74页 |
| ·半导体光放大器（SOA）简介 | 第58-67页 |
| ·半导体光放大器的原理 | 第58-62页 |
| ·半导体光放大器的性质 | 第62-65页 |
| ·半导体光放大器的应用 | 第65-67页 |
| ·基于半导体光放大器(SOA)852nm 可调谐光纤激光器实验研究 | 第67-70页 |
| ·基于SOA 852nm 可调谐光纤激光器实验装置 | 第67-68页 |
| ·基于SOA 852nm 可调谐光纤激光器实验结果与分析 | 第68-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-75页 |
| 在读期间发表的学术论文及申请的专利 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
