| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-28页 |
| ·自旋电子学简介 | 第9-10页 |
| ·稀磁半导体 | 第10-15页 |
| ·稀磁半导体结构和性质 | 第10-12页 |
| ·稀磁半导体研究现状 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体的应用前景 | 第13-15页 |
| ·氧化物基稀磁半导体 | 第15-25页 |
| ·In_2O_3基稀磁半导体研究现状 | 第15-20页 |
| ·其它氧化物基稀磁半导体研究现状 | 第20-21页 |
| ·氧化物稀磁半导体磁性理论 | 第21-25页 |
| ·本论文的目的、意义及主要研究内容 | 第25-27页 |
| ·本论文研究目的、意义 | 第25-26页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第2章 实验方法 | 第28-36页 |
| ·块体制备方法简介 | 第28-30页 |
| ·固相反应法 | 第28-29页 |
| ·机械合金法 | 第29-30页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第30页 |
| ·共沉淀法 | 第30页 |
| ·薄膜制备方法简介 | 第30-34页 |
| ·分子束外延低温生长技术 | 第31页 |
| ·化学气相沉积法 | 第31-32页 |
| ·磁控溅射法 | 第32页 |
| ·激光脉冲沉积法 | 第32-33页 |
| ·原子层取向生长法 | 第33页 |
| ·电子束真空蒸镀 | 第33-34页 |
| ·本论文所选实验方案 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章(In_(0.9-x)Fe_(0.1)Ni_x)_2O_3稀磁半导体的固相反应法制备、表征及磁性研究 | 第36-46页 |
| ·样品的制备 | 第36-37页 |
| ·实验原料及设备 | 第36页 |
| ·制备工艺流程 | 第36-37页 |
| ·块体的测试分析 | 第37-45页 |
| ·样品结构分析 | 第37-39页 |
| ·样品的形貌分析 | 第39-42页 |
| ·样品的磁性能分析 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 电子束真空蒸镀法制备(In_(0.88)Fe_(0.1)Ni_(0.02))_2O_3稀磁半导体薄膜 | 第46-53页 |
| ·实验原料和设备 | 第46-47页 |
| ·实验原料 | 第46页 |
| ·实验设备 | 第46-47页 |
| ·样品制备 | 第47-48页 |
| ·玻璃基底的处理 | 第47页 |
| ·电子束真空蒸镀制备流程 | 第47-48页 |
| ·镀膜工艺参数对薄膜的影响 | 第48-52页 |
| ·氧氩气体流量比 | 第48-50页 |
| ·基底温度 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 总结与展望 | 第53-55页 |
| ·主要结论 | 第53-54页 |
| ·有待研究的问题 | 第54页 |
| ·展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第60页 |