多晶硅纳米薄膜压力传感器设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·多晶硅纳米薄膜的特性 | 第12-13页 |
| ·硅压阻式压力传感器的工作原理 | 第13-15页 |
| ·硅压阻式压力传感器的基本结构 | 第13-14页 |
| ·压阻效应 | 第14页 |
| ·基于压阻效应的传感器 | 第14-15页 |
| ·现有半导体压力传感器局限性 | 第15页 |
| ·研究的目的和意义 | 第15-16页 |
| ·论文的主要内容 | 第16-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 多晶硅纳米薄膜压力传感器结构设计 | 第18-43页 |
| ·扩散硅压力传感器设计方法 | 第18-31页 |
| ·单晶硅的压阻效应 | 第18-19页 |
| ·硅膜片应力分析 | 第19-22页 |
| ·硅压阻式压力传感器硅杯 | 第22-23页 |
| ·硅压阻式压力传感器力敏电阻 | 第23-29页 |
| ·硅压阻式压力传感器约束底座 | 第29-30页 |
| ·力敏电阻的设计 | 第30-31页 |
| ·多晶硅纳米薄膜压力传感器设计 | 第31-39页 |
| ·多晶硅隧道压阻模型 | 第31-33页 |
| ·多晶硅纳米薄膜电阻设计 | 第33-34页 |
| ·硅杯结构设计 | 第34-35页 |
| ·硅膜片应变与传感器灵敏度关系式 | 第35-36页 |
| ·有限元分析确定电阻布局和膜片宽度 | 第36-39页 |
| ·传感器过载能力 | 第39页 |
| ·氧化层对仿真结果影响 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 压力传感器的技术性能 | 第43-50页 |
| ·压力量程范围 | 第43页 |
| ·精度 | 第43-46页 |
| ·精度等级 | 第43-44页 |
| ·重复性 | 第44页 |
| ·迟滞 | 第44页 |
| ·线性度 | 第44-45页 |
| ·零点输出和零位温度系数 | 第45-46页 |
| ·满量程输出和灵敏度温度系数 | 第46页 |
| ·多晶硅纳米薄膜压力传感器的零位温度系数 | 第46-47页 |
| ·多晶硅纳米薄膜压力传感器的灵敏度温度系数 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 温度传感器设计 | 第50-57页 |
| ·二极管温度传感器工作原理 | 第50-52页 |
| ·肖特基二极管设计仿真 | 第52-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 传感器版图和工艺流程 | 第57-63页 |
| ·版图 | 第57-62页 |
| ·传感器芯片工艺流程 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 传感器芯片和测试结果 | 第63-71页 |
| ·传感器芯片 | 第63页 |
| ·传感器芯片测试数据 | 第63-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第七章 结论 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 在学研究成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
