HIT电池表面钝化技术及ZnO透明导电膜的研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
本论文缩略词注释表 | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
·研究背景及研究意义 | 第11-12页 |
·HIT 电池发展及研究现状 | 第12-14页 |
·HIT 电池的基础知识 | 第14-17页 |
·HIT 电池的工作原理 | 第14-15页 |
·HIT 电池的基本表征参量 | 第15-16页 |
·影响HIT 电池效率的因素 | 第16-17页 |
·本论文的组织结构 | 第17-19页 |
第二章 HIT 电池的相关制备工艺 | 第19-28页 |
·非晶硅材料简介 | 第19-20页 |
·非晶硅薄膜沉积设备 | 第20-21页 |
·非晶硅薄膜的沉积 | 第21-27页 |
·非晶硅薄膜沉积的原理 | 第21-22页 |
·非晶硅薄膜的制备工艺 | 第22-24页 |
·两种电极系统沉积非晶硅薄膜的比较 | 第24-25页 |
·沉积气压对薄膜生长速率的影响 | 第25-26页 |
·射频功率对薄膜生长速率的影响 | 第26页 |
·氢稀释度对薄膜生长速率的影响 | 第26-27页 |
·小结 | 第27-28页 |
第三章 HIT 电池的表面钝化技术研究 | 第28-38页 |
·实验方案 | 第28页 |
·少子寿命的测试 | 第28-30页 |
·125 制绒硅片钝化实验 | 第30-36页 |
·实验设计 | 第30页 |
·硅片前处理 | 第30页 |
·本征层厚度对少子寿命的影响 | 第30-31页 |
·本征层沉积气压对少子寿命的影响 | 第31-32页 |
·本征层射频功率对少子寿命的影响 | 第32页 |
·本征层氢稀释度对少子寿命的影响 | 第32-33页 |
·氢处理时间对少子寿命的影响 | 第33-34页 |
·不同清洗工艺对少子寿命的影响 | 第34-36页 |
·125 抛光单晶硅片钝化实验 | 第36页 |
·硅片的抛光与清洗 | 第36页 |
·钝化后少子寿命的测试 | 第36页 |
·小结 | 第36-38页 |
第四章 ZnO 透明导电膜的研究 | 第38-46页 |
·磁控溅射原理 | 第38-39页 |
·氩气压强对ZnO 透明导电膜的性能影响 | 第39-41页 |
·实验设计 | 第39页 |
·结果与讨论 | 第39-41页 |
·射频溅射功率对ZnO 透明导电膜的性能影响 | 第41-44页 |
·实验设计 | 第41-42页 |
·结果与讨论 | 第42-44页 |
·小结 | 第44-46页 |
第五章 HIT 电池的研究 | 第46-51页 |
·HIT 电池开路电压实验 | 第46-47页 |
·实验参数 | 第46页 |
·测试结果 | 第46-47页 |
·本征层和发射层对HIT 电池的影响 | 第47-49页 |
·本征层厚度的影响 | 第47页 |
·发射层厚度的影响 | 第47-48页 |
·发射层材料对HIT 电池的影响 | 第48-49页 |
·ZnO 在HIT 电池中的作用 | 第49页 |
·HIT 电池的SUNSVOC 测试 | 第49页 |
·小结 | 第49-51页 |
第六章 总结与展望 | 第51-54页 |
·总结 | 第51-52页 |
·本文创新点 | 第52页 |
·展望 | 第52-54页 |
致谢 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-61页 |
攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第61页 |