| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-42页 |
| 第一节 光伏产业发展的重要意义 | 第14-17页 |
| ·能源危机、温室效应及太阳电池的发展 | 第14-15页 |
| ·世界各国对光伏产业的重视 | 第15-16页 |
| ·太阳电池对我国经济的重要意义 | 第16-17页 |
| 第二节 太阳电池材料 | 第17-32页 |
| ·第一代太阳电池材料(体硅材料太阳电池) | 第18-21页 |
| ·第二代太阳电池材料(薄膜太阳电池材料) | 第21-32页 |
| 第三节 多晶硅薄膜太阳电池研究现状及关键技术 | 第32-37页 |
| ·CSG多晶硅薄膜太阳电池 | 第33-35页 |
| ·铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳电池 | 第35-37页 |
| 第四节 碲化镉薄膜太阳电池研究现状及关键技术 | 第37-39页 |
| 第五节 论文的研究内容和目的 | 第39-42页 |
| ·研究背景 | 第39页 |
| ·选题思路 | 第39-40页 |
| ·组织结构 | 第40-42页 |
| 第二章 氢等离子钝化多晶硅薄膜的机理及优化研究 | 第42-70页 |
| 第一节 引言 | 第42-44页 |
| ·氢钝化处理 | 第42-43页 |
| ·氢等离子体与多晶硅薄膜的相互作用 | 第43页 |
| ·氢钝化处理的物理机制 | 第43-44页 |
| 第二节 实验过程 | 第44-47页 |
| ·氢化前驱物的制备 | 第44-45页 |
| ·氢化设备及工艺 | 第45-46页 |
| ·现场观测氢等离子体发射光谱 | 第46页 |
| ·氢化后薄膜光电性能的表征手段 | 第46-47页 |
| 第三节 氢等离子对多晶硅薄膜的钝化作用 | 第47-52页 |
| ·氢等离子体钝化过程中的OES光谱 | 第47-48页 |
| ·氢等离子激元对多晶硅薄膜的钝化作用 | 第48-51页 |
| ·氢等离子体钝化多晶硅薄膜机制的探讨 | 第51-52页 |
| 第四节 利用氢等离子钝化机制对氢化条件的优化 | 第52-60页 |
| ·衬底温度对氢化处理效果的影响 | 第52-57页 |
| ·RF功率对氢化处理效果的影响 | 第57-60页 |
| 第五节 不同类型的多晶硅薄膜与其钝化所需等离子激元的对应关系 | 第60-66页 |
| ·不同钝化前趋物氢钝化过程中的OES谱 | 第60-62页 |
| ·氢化作用改善了不同钝化前趋物的电学性能 | 第62-63页 |
| ·氢化处理降低了不同钝化前趋物的缺陷态密度 | 第63-64页 |
| ·氢化处理改善了不同钝化前趋物结晶程度 | 第64-66页 |
| ·不同类型的多晶硅薄膜与其钝化所需等离子激元的对应关系 | 第66页 |
| 第六节 利用不同类型的多晶硅薄膜所需等离子激元的对应关系对氢化条件的优化 | 第66-68页 |
| 第七节 本章小结 | 第68-70页 |
| 第三章 溶液铝诱导晶化技术 | 第70-91页 |
| 第一节 引言 | 第70-71页 |
| 第二节 铝诱导晶化技术 | 第71-78页 |
| ·铝诱导晶化技术发展历史 | 第71页 |
| ·铝诱导层交换晶化机制 | 第71-72页 |
| ·铝诱导晶化原理 | 第72-75页 |
| ·铝诱导晶化的晶化质量 | 第75-77页 |
| ·影响铝诱导晶化过程的主要因素 | 第77-78页 |
| ·溶液铝诱导晶化法 | 第78页 |
| 第三节 实验过程 | 第78-80页 |
| 第四节 溶液铝诱导晶化的晶化结果 | 第80-84页 |
| ·溶液铝诱导源成功晶化非晶硅薄膜 | 第80-82页 |
| ·溶液浓度的影响 | 第82-83页 |
| ·前驱物表面状态的影响 | 第83-84页 |
| 第五节 溶液铝诱导源晶化机理的探讨 | 第84-90页 |
| ·溶液种类对晶化结果的影响的启示 | 第84-85页 |
| ·得到晶化样品表面的XPS测试 | 第85-86页 |
| ·得到晶化样品表面可能发生的化学反应 | 第86-87页 |
| ·得到晶化样品剖面的XPS测试 | 第87-88页 |
| ·溶液法铝诱导晶化的晶化机制 | 第88-90页 |
| 第六节 本章小结 | 第90-91页 |
| 第四章 氢等离子体铝诱导晶化多晶硅 | 第91-105页 |
| 第一节 引言 | 第91页 |
| 第二节 实验过程 | 第91-93页 |
| 第三节 氢等离子体铝诱导晶化的晶化结果 | 第93-98页 |
| ·氢等离子体铝诱导晶化成功晶化非晶硅薄膜 | 第93-94页 |
| ·氢等离子体铝诱导晶化与传统的AIC进行对比 | 第94-95页 |
| ·不同退火温度的影响 | 第95-97页 |
| ·不同功率的影响 | 第97-98页 |
| 第四节 氢等离子铝诱导晶化的机制探讨 | 第98-104页 |
| ·氢等离子氛围缩短铝诱导晶化的退火时间的机制探讨 | 第98-101页 |
| ·氢等离子氛围铝诱导晶化提高电学特性的机制探讨 | 第101-104页 |
| 第五节 本章小结 | 第104-105页 |
| 第五章 利用碳糊成膜法制备碲化镉薄膜太阳电池背接触 | 第105-118页 |
| 第一节 引言 | 第105-106页 |
| 第二节 碲化镉太阳电池的关键制备工艺 | 第106-112页 |
| ·CdTe薄膜太阳电池的背接触 | 第106-109页 |
| ·CdTe薄膜太阳电池的后退火处理 | 第109-110页 |
| ·CdS/CdTe界面互扩散 | 第110-111页 |
| ·碳糊成膜法制备CdTe背接触 | 第111-112页 |
| 第三节 实验过程 | 第112-114页 |
| 第四节 碳糊成膜制备碲化镉太阳电池背接触工艺性能表征 | 第114-117页 |
| ·材料特性 | 第114-115页 |
| ·I-V特性分析 | 第115-116页 |
| ·器件特性分析 | 第116-117页 |
| 第五节 本章小结 | 第117-118页 |
| 第六章 结论 | 第118-122页 |
| 参考文献 | 第122-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
| 个人简历 | 第135页 |
