| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 文献综述 | 第7-26页 |
| 1.1 多晶硅生产工艺 | 第10-11页 |
| 1.1.1 化学气相沉积法(CVD)生产多晶硅 | 第10-11页 |
| 1.1.2 西门子反应器 | 第11页 |
| 1.1.3 流化床反应器 | 第11页 |
| 1.2 流化床化学气相沉积法(FBCVD)多晶硅生产研究进展 | 第11-12页 |
| 1.3 流化床工艺技术挑战 | 第12-16页 |
| 1.3.1 细粉末的形成 | 第12-14页 |
| 1.3.2 加热床和墙上沉积 | 第14-16页 |
| 1.3.3 其它的技术难题 | 第16页 |
| 1.4 硅烷流化床工艺设计 | 第16-17页 |
| 1.5 硅烷制备方法 | 第17-22页 |
| 1.5.1 硅烷制备方法概述 | 第17-18页 |
| 1.5.2 硅镁合金法 | 第18页 |
| 1.5.3 三氯硅烷还原法 | 第18-19页 |
| 1.5.4 四氟化硅还原法 | 第19-20页 |
| 1.5.5 氯硅烷歧化法 | 第20-21页 |
| 1.5.6 烷氧基硅烷法 | 第21-22页 |
| 1.6 硅烷法生产多晶硅的优势 | 第22页 |
| 1.7 硅烷法生产多晶硅的劣势 | 第22-23页 |
| 1.8 硅烷法生产多晶硅的技术应用情况 | 第23-24页 |
| 1.9 反应精馏工艺制备高纯硅烷 | 第24-25页 |
| 1.10 本文研究重点 | 第25-26页 |
| 第2章 生产硅烷的反应精馏工艺设计 | 第26-44页 |
| 2.1 模型开发 | 第26-31页 |
| 2.1.1 化学反应特性 | 第26-28页 |
| 2.1.2 相平衡模型 | 第28-29页 |
| 2.1.3 反应精馏(RD)塔模型 | 第29-31页 |
| 2.2 方案设计 | 第31-43页 |
| 2.2.1 传统的反应精馏塔 | 第31-33页 |
| 2.2.2 带一个中间冷凝器的反应精馏塔 | 第33-35页 |
| 2.2.3 带两个中间冷凝器的反应精馏塔 | 第35-36页 |
| 2.2.4 三种反应精馏工艺方案的比较 | 第36-38页 |
| 2.2.5 不同影响因素的研究 | 第38-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第3章 超纯硅烷反应精馏生产过程模拟与优化 | 第44-58页 |
| 3.1 模型构建 | 第44-56页 |
| 3.1.1 化学反应动力学模型 | 第44页 |
| 3.1.2 相平衡模型 | 第44页 |
| 3.1.3 过程设计原理 | 第44-46页 |
| 3.1.4 公用设施成本估算方法 | 第46-48页 |
| 3.1.5 结果与讨论 | 第48-56页 |
| 3.2 本章小结 | 第56-58页 |
| 第4章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |