| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 氮化物半导体与一维纳米材料 | 第10-11页 |
| 1.2 氮化硅、氮化锗纳米线的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.2.1 氮化硅纳米线的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.2.2 氮化锗纳米线的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 Si-Ge-N三元固溶体的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4 本研究工作的提出和研究意义 | 第14-16页 |
| 1.5 本研究工作的主要内容 | 第16页 |
| 第2章 氮化硅纳米线的氨气氮化制备、显微结构与光致发光性能 | 第16-28页 |
| 2.1 引言 | 第16-17页 |
| 2.2 实验与测试 | 第17-20页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第17页 |
| 2.2.2 实验仪器与表征方法 | 第17-19页 |
| 2.2.3 实验流程 | 第19-20页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第20-27页 |
| 2.3.1 纳米晶硅粉的物相及显微结构 | 第20-21页 |
| 2.3.2 不同氮化气氛下所得氮化硅纳米线的物相及显微结构 | 第21-23页 |
| 2.3.3 氮化硅纳米线的显微结构 | 第23-25页 |
| 2.3.4 氮化硅纳米线的光致发光性能 | 第25-26页 |
| 2.3.5 氮化硅纳米线的发光机理 | 第26-27页 |
| 2.4 小结 | 第27-28页 |
| 第3章 氮化锗纳米线的氨气氮化制备、显微结构与光致发光性能 | 第28-39页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 实验与测试 | 第28-29页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第28-29页 |
| 3.2.2 实验流程 | 第29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-38页 |
| 3.3.1 氮化锗纳米线的制备工艺与物相、显微结构的关系 | 第29-33页 |
| 3.3.2 氮化锗纳米线的显微结构 | 第33-35页 |
| 3.3.3 氮化锗纳米线的光致发光性能 | 第35-36页 |
| 3.3.4 氮化锗纳米线的发光机理 | 第36-38页 |
| 3.4 小结 | 第38-39页 |
| 第4章 Si-Ge-N纳米线的氨气氮化制备、组成结构与发光性能 | 第39-74页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 实验与测试 | 第39-40页 |
| 4.2.1 实验原料 | 第39页 |
| 4.2.2 实验流程 | 第39-40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-72页 |
| 4.3.1 硅锗纳米晶粉体的低温球磨制备 | 第40-47页 |
| 4.3.2 Si-Ge-N纳米线的氮化形成过程 | 第47-55页 |
| 4.3.3 Si-Ge-N纳米线的显微结构 | 第55-64页 |
| 4.3.4 Si-Ge-N纳米线的发光性能与发光机理 | 第64-72页 |
| 4.4 小结 | 第72-74页 |
| 第5章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 结论 | 第74-75页 |
| 5.2 展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第82-83页 |
