| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 可饱和吸收体的发展概况 | 第10-14页 |
| 1.2.1 非线性偏振旋转 | 第10-11页 |
| 1.2.2 “8”字型腔 | 第11页 |
| 1.2.3 半导体可饱和吸收镜 | 第11-12页 |
| 1.2.4 碳族可饱和吸收体 | 第12页 |
| 1.2.5 黑磷 | 第12-13页 |
| 1.2.6 拓扑绝缘体 | 第13页 |
| 1.2.7 过渡金属硫化物 | 第13-14页 |
| 1.3 2.8μm被动调Q和锁模光纤激光器的研究进展 | 第14-23页 |
| 1.3.1 掺Er~(3+):ZBLAN光纤的基本特性 | 第14-17页 |
| 1.3.2 2.8μm被动调Q光纤激光器的发展概况 | 第17-20页 |
| 1.3.3 2.8μm被动锁模光纤激光器的发展概况 | 第20-23页 |
| 1.4 本论文主要内容 | 第23-25页 |
| 第2章 TMDs的基本光学特性及被动调Q和锁模的基本原理 | 第25-32页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 TMDs的基本光学特性 | 第25-27页 |
| 2.3 调Q和锁模的基本原理 | 第27-31页 |
| 2.3.1 调Q的基本原理 | 第27-28页 |
| 2.3.2 锁模的基本原理 | 第28-29页 |
| 2.3.3 脉冲光纤激光器的主要影响因素 | 第29-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 基于CVD法MoTe_2-SAM的2.8μm被动调Q光纤激光器 | 第32-39页 |
| 3.1 引言 | 第32页 |
| 3.2 MoTe2-SAM的制备与表征 | 第32-35页 |
| 3.3 实验装置 | 第35-36页 |
| 3.4 实验结果与分析 | 第36-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 基于MSD法WS_2-SAM的2.8μm被动锁模光纤激光器 | 第39-46页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 WS_2-SAM的制备与表征 | 第39-42页 |
| 4.3 实验装置 | 第42-43页 |
| 4.4 实验结果与分析 | 第43-45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 基于CVD法WSe_2-SAM的2.8μm脉冲光纤激光器 | 第46-54页 |
| 5.1 引言 | 第46-47页 |
| 5.2 WSe_2-SAM的制备与表征 | 第47-48页 |
| 5.3 基于CVD法WSe_2-SAM的2.8μm被动调Q光纤激光器 | 第48-50页 |
| 5.3.1 实验装置 | 第48页 |
| 5.3.2 实验结果与分析 | 第48-50页 |
| 5.4 基于CVD法WSe_2-SAM的2.8μm被动锁模光纤激光器 | 第50-53页 |
| 5.4.1 实验装置 | 第50-51页 |
| 5.4.2 实验结果与分析 | 第51-53页 |
| 5.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第6章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 6.1 总结 | 第54-55页 |
| 6.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间研究成果 | 第63页 |
