| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第13-34页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 二维层状材料概述 | 第14-22页 |
| 1.2.1 石墨烯材料 | 第14-16页 |
| 1.2.2 单层BN材料 | 第16-18页 |
| 1.2.3 其它二维层状材料 | 第18-22页 |
| 1.3 二维层状材料的磁性调控 | 第22-27页 |
| 1.4 二维层状材料的光催化分解水性能调控 | 第27-32页 |
| 1.5 本论文研究的意义及主要内容 | 第32-34页 |
| 2 理论方法 | 第34-43页 |
| 2.1 多粒子体系的Schrodinger方程 | 第34-35页 |
| 2.2 波恩-奥本海默近似(Born-Oppenheimer) | 第35-36页 |
| 2.3 哈特利-福克近似(Hartree-Fock) | 第36-37页 |
| 2.4 密度泛函理论(Density Functional Theory) | 第37-40页 |
| 2.5 交换关联泛函 | 第40-42页 |
| 2.6 计算软件包简介(VASP) | 第42-43页 |
| 3 二维层状材料电子结构和磁性调控的理论研究 | 第43-63页 |
| 3.1 第一周期元素X(X=Be、B、C)掺杂对单层AlN电子结构和磁性的调控 | 第43-51页 |
| 3.1.1 研究背景 | 第43-44页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第44页 |
| 3.1.3 结果与讨论 | 第44-50页 |
| 3.1.3.1 纯的单层AlN性质 | 第44-45页 |
| 3.1.3.2 单X掺杂对单层AlN电子结构和磁性的调控 | 第45-48页 |
| 3.1.3.3 双X掺杂单层AlN的磁性耦合 | 第48-50页 |
| 3.1.4 小结 | 第50-51页 |
| 3.2 二维层状K_2CoF_4电子结构和磁性的调控 | 第51-63页 |
| 3.2.1 研究背景 | 第51页 |
| 3.2.2 计算方法 | 第51-52页 |
| 3.2.3 结果与讨论 | 第52-62页 |
| 3.2.3.1 二维层状K_2CoF_4的剥离能和稳定性 | 第52-54页 |
| 3.2.3.2 二维层状K_2CoF_4的电子性质 | 第54-57页 |
| 3.2.3.3 含有K空位缺陷的二维层状K_2CoF_4的电子性质 | 第57-62页 |
| 3.2.4 小结 | 第62-63页 |
| 4 掺杂对二维层状GaS材料光催化分解水性能调控的理论研究 | 第63-85页 |
| 4.1 等价的阴阳离子掺杂对二维层状GaS光催化分解水性能的调控 | 第63-75页 |
| 4.1.1 研究背景 | 第63-64页 |
| 4.1.2 计算方法 | 第64-65页 |
| 4.1.3 结果与讨论 | 第65-73页 |
| 4.1.3.1 纯的二维层状GaS性质 | 第65-66页 |
| 4.1.3.2 单掺对二维层状GaS光催化分解水性能的调控 | 第66-71页 |
| 4.1.3.3 阴阳离子共掺对二维层状GaS光催化分解水性能的调控 | 第71-73页 |
| 4.1.4 小结 | 第73-75页 |
| 4.2 等价的阴离子Te掺杂对二维层状GaS能带结构的调控 | 第75-85页 |
| 4.2.1 研究背景 | 第75-76页 |
| 4.2.2 计算方法 | 第76页 |
| 4.2.3 结果与讨论 | 第76-84页 |
| 4.2.3.1 纯的二维层状GaS和GaTe的几何结构和电子性质 | 第76-77页 |
| 4.2.3.2 二维层状GaS_(1-x)Te_x的几何结构和电子性质 | 第77-83页 |
| 4.2.3.3 掺杂形成能 | 第83-84页 |
| 4.2.4 小结 | 第84-85页 |
| 5 二维层状MNX及其MNX/GaS范德瓦尔斯异质结能带结构的调控 | 第85-99页 |
| 5.1 研究背景 | 第85-86页 |
| 5.2 计算方法 | 第86页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第86-98页 |
| 5.3.1 二维层状MNX的剥离能和稳定性 | 第86-89页 |
| 5.3.2 二维层状MNX的几何结构和电子性质 | 第89-93页 |
| 5.3.3 二维层状MNX/GaS范德瓦尔斯异质结 | 第93-98页 |
| 5.4 小结 | 第98-99页 |
| 6 总结与展望 | 第99-101页 |
| 7 本论文主要创新点 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-125页 |
| 附录 | 第125页 |
