等离子体诱导量子阱混合技术研究
致谢 | 第1-5页 |
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-17页 |
·量子阱混合的发展背景 | 第10-13页 |
·量子阱混合的研究进展 | 第13-15页 |
·本论文的主要研究工作 | 第15-17页 |
第二章 氩等离子诱导量子阱混合理论 | 第17-28页 |
·量子阱混合的物理机理 | 第17-23页 |
·量子阱结构的能带 | 第17-19页 |
·组分能带关系 | 第19-21页 |
·量子阱混合与Eg | 第21-23页 |
·缺陷诱导量子阱混合 | 第23-28页 |
·组分扩散的类型 | 第23-24页 |
·诱导的组分扩散 | 第24-25页 |
·量子阱混合中的扩散理论 | 第25-28页 |
第三章 等离子体诱导量子阱混合实验方法 | 第28-41页 |
·感应耦合等离子体技术(ICP) | 第28-32页 |
·等离子体产生缺陷原理 | 第28-31页 |
·等离子刻蚀机参数 | 第31-32页 |
·快速退火技术(RTA) | 第32-34页 |
·快速退火炉 | 第32-33页 |
·快速退火的问题 | 第33-34页 |
·光致发光测量系统(PL) | 第34-41页 |
·光致发光原理 | 第34-35页 |
·光致发光系统 | 第35-36页 |
·PL系统的校正 | 第36-41页 |
第四章 氩等离子体诱导量子阱混合实验研究 | 第41-50页 |
·多量子阱样品的结构 | 第41-45页 |
·刻蚀速率分析 | 第43-44页 |
·热稳定性分析 | 第44-45页 |
·实验参数对量子阱混合的影响 | 第45-48页 |
·退火温度对蓝移的分析 | 第45-46页 |
·ICP功率对蓝移分析 | 第46-47页 |
·量子阱混合样品的低温PL | 第47-48页 |
·小结 | 第48-50页 |
第五章 氮等离子体诱导量子阱混合实验研究 | 第50-60页 |
·缺陷生成的SRIM模拟 | 第50-53页 |
·氮等离子诱导的量子阱混合实验 | 第53-59页 |
·多量子阱样品结构 | 第53-54页 |
·热稳定性分析 | 第54-55页 |
·退火温度对蓝移影响分析 | 第55-57页 |
·标准样品上的量子阱混合实验 | 第57-59页 |
·小结 | 第59-60页 |
第六章 等离子体诱导量子阱混合的应用 | 第60-74页 |
·低损耗波导 | 第60-69页 |
·脊型波导的结构 | 第60-61页 |
·低损耗波导的制作流程 | 第61-65页 |
·波导损耗的检测 | 第65-68页 |
·小结 | 第68-69页 |
·激射波长蓝移的FP腔激光器 | 第69-74页 |
·氩等离子体诱导量子阱混合的选择性 | 第69-70页 |
·FP腔激光器的制作工艺 | 第70-72页 |
·波长蓝移的FP腔激光器测试 | 第72-73页 |
·小结 | 第73-74页 |
第七章 总结和展望 | 第74-76页 |
·本文总结 | 第74-75页 |
·本文展望 | 第75-76页 |
参考文献 | 第76-80页 |
附录 | 第80页 |
作者简历 | 第80页 |
成果附录 | 第80页 |