| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-33页 |
| ·本课题的研究意义及背景 | 第12-15页 |
| ·硅基光电子的背景和意义 | 第12-13页 |
| ·硅基光电子学 | 第13-15页 |
| ·硅基光电子材料的研究进展 | 第15-21页 |
| ·能带工程 | 第17-18页 |
| ·缺陷工程 | 第18-19页 |
| ·纳米结构 | 第19-21页 |
| ·氮化硅薄膜体系发光器件的研究进展 | 第21-32页 |
| ·单层氮化硅薄膜的电致发光研究 | 第21-23页 |
| ·多层氮化硅薄膜的电致发光研究 | 第23-27页 |
| ·氮化硅薄膜的电致发光机制研究 | 第27-32页 |
| ·本论文的研究意义 | 第32-33页 |
| 第三章 SiN_x薄膜电致发光器件的制备及测试 | 第33-39页 |
| ·PECVD薄膜沉积系统 | 第33-35页 |
| ·椭偏光谱仪 | 第35-36页 |
| ·电极沉积设备 | 第36-38页 |
| ·磁控溅射及电子束蒸发设备 | 第36-37页 |
| ·磁控溅射法制备ITO电极 | 第37页 |
| ·电子束蒸发法制备Al电极 | 第37-38页 |
| ·后续热处理设备 | 第38页 |
| ·光电性能测试设备 | 第38-39页 |
| 第四章 单层SiN_x薄膜的发光性能研究 | 第39-52页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·实验 | 第39-42页 |
| ·衬底清洗 | 第39-40页 |
| ·薄膜的沉积及EL器件的制备 | 第40页 |
| ·薄膜的表征 | 第40-42页 |
| ·单层氮化硅薄膜的光电性能测试 | 第42-49页 |
| ·p型Si衬底掺杂浓度对SiN_x薄膜EL发光的影响 | 第42-45页 |
| ·常规热处理对薄膜电致发光的影响 | 第45-46页 |
| ·三步热处理对薄膜发光的影响 | 第46-49页 |
| ·SiN_x薄膜的发光机理 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 SiN_x/a-Si/SiN_x薄膜的发光性能研究 | 第52-66页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-65页 |
| ·光致发光 | 第53-55页 |
| ·a-Si/SiN_x薄膜的光致发光 | 第54-55页 |
| ·SiN_x/a-Si/SiN_x薄膜的光致发光 | 第55页 |
| ·电致发光及I-V曲线 | 第55-59页 |
| ·C-V特性曲线 | 第59-60页 |
| ·电学输运机制 | 第60-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 SiO_2 on SiN_x结构薄膜发光性能的研究 | 第66-76页 |
| ·引言 | 第66-67页 |
| ·实验 | 第67-70页 |
| ·样品制备 | 第69页 |
| ·性能测试 | 第69-70页 |
| ·结果与讨论 | 第70-73页 |
| ·SiO_2的表面形貌 | 第70页 |
| ·SiO_2 on SiN_x结构的光致发光 | 第70-71页 |
| ·SiO_2 on SiN_x结构的电致发光 | 第71-73页 |
| ·SiO_2 on SiN_x结构的I-V特性曲线 | 第73页 |
| ·衬底温度对EBE生长SiO_2薄膜的影响 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-76页 |
| 第七章 全文总结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第80页 |
