N型直拉多晶硅中磷元素分布及电性能研究
摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3-4页 |
1 绪论 | 第7-17页 |
1.1 光伏太阳能电池的应用及发展 | 第7-9页 |
1.2 太阳能级晶硅的制备 | 第9-12页 |
1.2.1 晶硅性能的影响因素 | 第9页 |
1.2.2 晶硅的制备 | 第9-11页 |
1.2.3 直拉法制备太阳能级晶硅 | 第11-12页 |
1.3 P、N型硅的掺杂 | 第12-13页 |
1.4 N型硅的研究现状 | 第13-15页 |
1.4.1 N型晶硅的优势与不足 | 第13-14页 |
1.4.2 N型硅及电池的研究现状 | 第14-15页 |
1.5 本课题研究内容及路线 | 第15-17页 |
2 实验原理及分析方法 | 第17-29页 |
2.1 实验设备及材料 | 第17-20页 |
2.1.1 试验设备 | 第17-18页 |
2.1.2 实验材料 | 第18-20页 |
2.2 实验原理及方法 | 第20-23页 |
2.2.1 实验原理及参数设定 | 第20-21页 |
2.2.2 实验过程 | 第21-23页 |
2.3 样品制备及检测 | 第23-29页 |
2.3.1 切片及制样 | 第23-25页 |
2.3.2 检测流程及设备 | 第25-29页 |
3 直拉多晶硅的晶体形貌和元素分布 | 第29-52页 |
3.1 直拉多晶硅棒晶体形貌 | 第29-34页 |
3.1.1 晶体形貌观察 | 第29-32页 |
3.1.2 晶粒尺寸分析 | 第32-34页 |
3.2 直拉多晶硅棒的元素分布 | 第34-39页 |
3.2.1 轴向元素分布及分析 | 第34-37页 |
3.2.2 径向元素分布及分析 | 第37-39页 |
3.3 直拉多晶硅中P元素的分凝 | 第39-40页 |
3.4 直拉多晶硅中P的挥发传输 | 第40-51页 |
3.4.1 硅中元素的饱和蒸气压 | 第40-42页 |
3.4.2 直拉多晶硅中P元素蒸发传质 | 第42-48页 |
3.4.3 直拉多晶硅中P的传输 | 第48-51页 |
3.5 本章小结 | 第51-52页 |
4 直拉多晶硅的电性能分析 | 第52-64页 |
4.1 直拉多晶硅的电阻率 | 第52-58页 |
4.1.1 截面电阻率分布 | 第52-55页 |
4.1.2 P含量对电阻率的影响 | 第55-56页 |
4.1.3 晶体形貌与电阻率的关系 | 第56-58页 |
4.2 直拉多晶硅的少子寿命 | 第58-62页 |
4.2.1 截面少子寿命分布 | 第58-60页 |
4.2.2 晶体形貌与少子寿命的关系 | 第60-62页 |
4.3 本章小结 | 第62-64页 |
结论 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-69页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-72页 |