| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 微机电系统 | 第9-14页 |
| 1.1.1 微机电系统的定义和基本特点 | 第10-11页 |
| 1.1.2 纳机电系统 | 第11-12页 |
| 1.1.3 微机电系统的分类及应用 | 第12-14页 |
| 1.2 GaN纳米材料概述 | 第14-16页 |
| 1.2.1 GaN纳米材料的基本特性 | 第14-15页 |
| 1.2.2 GaN纳米材料的发展现状 | 第15-16页 |
| 1.2.3 GaN纳米材料的制备方法 | 第16页 |
| 1.3 GaN纳米材料在微机电系统中的应用及研究现状 | 第16-18页 |
| 1.4 本文研究意义、主要内容及创新点 | 第18-20页 |
| 1.4.1 本文研究意义 | 第18-19页 |
| 1.4.2 本文主要内容 | 第19页 |
| 1.4.3 本文创新点 | 第19-20页 |
| 第2章 GaN纳米带及其晶体管的制备与表征设备 | 第20-29页 |
| 2.1 制备装置 | 第20-25页 |
| 2.1.1 化学气相沉积实验设备系统 | 第20-21页 |
| 2.1.2 磁控溅射沉积系统 | 第21-22页 |
| 2.1.3 其他设备 | 第22-25页 |
| 2.2 微结构表征设备 | 第25-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第26-27页 |
| 2.3 力电性能测试系统 | 第27-28页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第27-28页 |
| 2.3.2 探针台及半导体参数测试仪 | 第28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 GaN纳米带压电晶体管的制备 | 第29-43页 |
| 3.1 GaN纳米带制备实验所需药品 | 第29页 |
| 3.2 GaN纳米带CVD法的制备工艺 | 第29-31页 |
| 3.2.1 镓源的制备及基片的清洗 | 第29-30页 |
| 3.2.2 GaN纳米带CVD法制备流程 | 第30-31页 |
| 3.3 GaN纳米带CVD法制备的关键影响因素 | 第31-38页 |
| 3.3.1 镓源对GaN纳米带形貌的影响 | 第31-33页 |
| 3.3.2 升温速度对GaN纳米带的形貌影响 | 第33-35页 |
| 3.3.3 镓源与基片的间距对GaN纳米带形貌的影响 | 第35-38页 |
| 3.4 GaN纳米带压电晶体管的设计及制备 | 第38-42页 |
| 3.4.1 叉指电极的制备 | 第38-41页 |
| 3.4.2 GaN纳米带压电晶体管的搭建 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 GaN纳米带压电晶体管的力电耦合性能 | 第43-53页 |
| 4.1 前言 | 第43页 |
| 4.2 单根GaN纳米带的形貌及结构表征 | 第43-44页 |
| 4.3 GaN纳米带的力电性能测试 | 第44-48页 |
| 4.3.1 单根GaN纳米带的压电响应测试 | 第44-45页 |
| 4.3.2 单根GaN纳米带的电流分布图 | 第45-47页 |
| 4.3.3 单根GaN纳米带的I-V特性测试 | 第47-48页 |
| 4.4 基于GaN纳米带压电晶体管的力电开关 | 第48-49页 |
| 4.5 GaN纳米带压电晶体管的电学性能测试 | 第49-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 5.1 论文总结 | 第53页 |
| 5.2 工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读硕士期间发表的论文和参与的科研项目 | 第59页 |