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28nm SRAM编译器特征化及其优化

中文摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 绪论第8-15页
    1.1 引言第8-10页
    1.2 论文的背景与意义第10-13页
        1.2.1 SRAM设计过程中的问题与挑战第10-12页
        1.2.2 SRAM仿真工作存在的优化可能第12-13页
    1.3 论文的主要内容第13-15页
第二章 SRAM编译器第15-28页
    2.1 SRAM基本原理第15-17页
        2.1.1 SRAM基本架构第15-16页
        2.1.2 SRAM存储单元第16-17页
    2.2 SRAM编译器第17-20页
        2.2.1 SRAM编译器设计流程第17-19页
        2.2.2 SRAM编译器实现流程第19-20页
    2.3 特征化第20-27页
        2.3.1 特征第21-22页
        2.3.2 实例第22-24页
        2.3.3 输入压摆和输出负载第24页
        2.3.4 工艺角、电压和温度第24-27页
    2.4 本章小结第27-28页
第三章 基于关键电路的分段拓展时序优化方法第28-39页
    3.1 基于关键电路的分段拓展方法提取建立时间第28-34页
        3.1.1 关键路径分析第28-29页
        3.1.2 分段拓展方法第29-31页
        3.1.3 建立时间分析第31-32页
        3.1.4 应用基于简化电路的分段拓展方法提取建立时间第32-34页
    3.2 基于时延搜索的SRAM建立时间快速提取方法第34-35页
        3.2.1 传统的SRAM建立时间提取方法第34页
        3.2.2 基于时延搜索的SRAM建立时间快速提取方法第34-35页
    3.3 建立时间提取实验第35-37页
    3.4 结果分析第37-38页
    3.5 本章小结第38-39页
第四章 基于最小二乘法的特征化优化方法第39-64页
    4.1 最小二乘法第39-42页
        4.1.1 线性回归模型第39页
        4.1.2 最小二乘法第39-41页
        4.1.3 算法实现第41-42页
    4.2 SRAM时序的特征化第42-55页
        4.2.1 时序数据第42-46页
        4.2.2 时序预测第46-55页
    4.3 SRAM功率的特征化第55-62页
        4.3.1 功率数据第55-57页
        4.3.2 功率预测第57-62页
    4.4 实验结果分析第62-63页
    4.5 本章小结第63-64页
第五章 总结与展望第64-66页
    5.1 论文总结第64页
    5.2 工作展望第64-66页
参考文献第66-71页
攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文第71-72页
致谢第72-73页

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