| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 二维TMD中的缺陷类型 | 第11页 |
| 1.3 缺陷对二维TMD材料的影响 | 第11-13页 |
| 第二章 理论基础和计算方法 | 第13-19页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第13-16页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第14-15页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第15-16页 |
| 2.1.3 交换关联泛函 | 第16页 |
| 2.2 布洛赫定理 | 第16-17页 |
| 2.3 赝势方法 | 第17-18页 |
| 2.4 自旋轨道耦合效应(Spin-orbitCoupling,SOC) | 第18页 |
| 2.5 VASP程序包 | 第18-19页 |
| 第三章 单层MoTe_2中点缺陷的电子结构和磁学性质 | 第19-25页 |
| 3.1 研究背景介绍 | 第19页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第19-20页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第20-24页 |
| 3.4 小结 | 第24-25页 |
| 第四章 单层MoTe_2中畴界缺陷的电子结构和磁学性质 | 第25-37页 |
| 4.1 研究背景介绍 | 第25-26页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第26页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第26-36页 |
| 4.3.1 单层MoTe_2中的倾斜型畴界缺陷 | 第28-31页 |
| 4.3.2 单层MoTe_2中的扶手椅型畴界缺陷 | 第31-32页 |
| 4.3.3 单层MoTe_2中的锯齿型畴界缺陷 | 第32-36页 |
| 4.4 小结 | 第36-37页 |
| 第五章 单层MoTe_2中超结构的电子结构和磁学性质 | 第37-55页 |
| 5.1 研究背景介绍 | 第37-38页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第38页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第38-53页 |
| 5.3.1 单层MoTe_2超结构模型 | 第38-41页 |
| 5.3.2 单层MoTe_2超结构的能带结构 | 第41-45页 |
| 5.3.3 单层MoTe_2超结构的磁性研究 | 第45-53页 |
| 5.4 小结 | 第53-55页 |
| 第六章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 攻读硕士学位期间的主要工作 | 第67-69页 |
