| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题的来源及研究的背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状分析 | 第10-17页 |
| 1.2.1 碳化硅材料研抛加工现状 | 第10-13页 |
| 1.2.2 碳化硅材料的摩擦化学与摩擦电化学研抛加工研究现状 | 第13-16页 |
| 1.2.3 表面织构对流体性能影响的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 课题主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 带孔抛光垫研抛过程中流体性能分析 | 第19-36页 |
| 2.1 模型的建立 | 第19-22页 |
| 2.2 研抛速度对流体特性的影响 | 第22-26页 |
| 2.2.1 研抛速度对流场的影响 | 第22-23页 |
| 2.2.2 研抛速度对压力分布的影响 | 第23-25页 |
| 2.2.3 研抛速度对承载能力的影响 | 第25-26页 |
| 2.3 抛光垫厚度对流体特性的影响 | 第26-30页 |
| 2.3.1 抛光垫厚度对流场的影响 | 第26-28页 |
| 2.3.2 抛光垫厚度对压力分布的影响 | 第28-30页 |
| 2.3.3 抛光垫厚度对承载能力的影响 | 第30页 |
| 2.4 小孔尺寸对流体特性的影响 | 第30-34页 |
| 2.4.1 小孔占空比对流体特性的影响 | 第31-32页 |
| 2.4.2 小孔数量对流体特性的影响 | 第32-34页 |
| 2.5 流体膜厚度对流体特性的影响 | 第34-35页 |
| 2.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 研抛过程中电场分布仿真分析 | 第36-50页 |
| 3.1 模型建立 | 第36-39页 |
| 3.1.1 基本方程 | 第36-37页 |
| 3.1.2 几何模型 | 第37页 |
| 3.1.3 仿真参数设置 | 第37-39页 |
| 3.2 模型各部分电场分布 | 第39-40页 |
| 3.2.1 电压分布 | 第39-40页 |
| 3.2.2 电流密度分布 | 第40页 |
| 3.3 抛光垫电导率对研抛表面电场分布的影响 | 第40-46页 |
| 3.3.1 电导率对电压分布的影响 | 第41-42页 |
| 3.3.2 电导率对电流密度的影响 | 第42-44页 |
| 3.3.3 电导率对研抛表面能量的影响 | 第44-46页 |
| 3.4 抛光垫厚度对研抛表面电场分布的影响 | 第46-49页 |
| 3.4.1 垫厚对电压分布的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.2 垫厚对电流密度的影响 | 第47-48页 |
| 3.4.3 垫厚对研抛表面能量的影响 | 第48-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 实验系统的改进 | 第50-64页 |
| 4.1 研抛试验机及实验系统工作原理 | 第50-51页 |
| 4.2 载荷的施加及摩擦系数的计算 | 第51-54页 |
| 4.2.1 两种加载方式的比较及选定 | 第51-53页 |
| 4.2.2 摩擦系数的计算 | 第53-54页 |
| 4.3 数据采集系统的开发 | 第54-58页 |
| 4.3.1 LabVIEW软件和NI6008 数据采集卡简介 | 第54-56页 |
| 4.3.2 数据采集系统程序框图及界面 | 第56-58页 |
| 4.4 实验机总体的调试 | 第58-63页 |
| 4.4.1 电压加载的实现 | 第58-60页 |
| 4.4.2 试验机系统总体调试 | 第60-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 碳化硅研抛的摩擦磨损特性研究 | 第64-73页 |
| 5.1 电压对研磨的摩擦特性影响 | 第64-68页 |
| 5.1.1 电压对SiC/HT200 研磨影响的初步实验 | 第64-66页 |
| 5.1.2 电压对SiC/HT200 配副摩擦特性的影响 | 第66-68页 |
| 5.2 砂纸粒度对研磨摩擦特性影响 | 第68-69页 |
| 5.3 电压对抛光摩擦特性影响 | 第69-70页 |
| 5.4 抛光垫及抛光液对抛光摩擦特性影响 | 第70-72页 |
| 5.4.1 抛光垫对摩擦特性的影响 | 第70-71页 |
| 5.4.2 抛光液对摩擦特性的影响 | 第71-72页 |
| 5.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
