| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-34页 |
| 1.1 悬浮栅存储器概况 | 第10-14页 |
| 1.2 悬浮栅存储器基本单元结构及工作原理 | 第14-15页 |
| 1.3 悬浮栅存储器的阵列结构以及编程/擦除机理 | 第15-18页 |
| 1.4 多晶娃悬浮栅存储器面临的挑战及其替代技术 | 第18-22页 |
| 1.5 电荷陷拼型悬浮栅存储器研究现状 | 第22-31页 |
| 1.6 本文主要内容以及结构安排 | 第31-34页 |
| 第二章 制备工艺以及特性表征 | 第34-48页 |
| 2.1 引言 | 第34-35页 |
| 2.2 高k介质薄膜制备方法 | 第35-37页 |
| 2.3 介质薄膜的物理性能表征 | 第37-41页 |
| 2.4 电容存储器制备工艺流程 | 第41-43页 |
| 2.5 存储器的电学特性表征 | 第43-47页 |
| 2.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 MONOS存储器隧穿层材料及结构研究 | 第48-64页 |
| 3.1 引言 | 第48页 |
| 3.2 氮氧化硅隧穿层研究 | 第48-55页 |
| 3.3 双隧穿层结构研究 | 第55-63页 |
| 3.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 MONOS存储器电荷存储层研究 | 第64-83页 |
| 4.1 引言 | 第64页 |
| 4.2 ZrON电荷存储层特性研究 | 第64-72页 |
| 4.3 二元金属氮氧化物(HfTiON)电荷存储层特性研究 | 第72-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 基于器件物理的MONOS存储器编程模型 | 第83-92页 |
| 5.1 引言 | 第83-84页 |
| 5.2 模型的建立 | 第84-86页 |
| 5.3 结果分析与讨论 | 第86-91页 |
| 5.4 本章小结 | 第91-92页 |
| 第六章 总结与工作展望 | 第92-96页 |
| 6.1 本文工作总结与创新点 | 第92-95页 |
| 6.2 工作展望 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-113页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表的论文 | 第113-114页 |