硅纳米线阵列结构调控及减反特性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第8-9页 |
| 1.2 硅纳米线阵列的研究现状 | 第9-14页 |
| 1.2.1 硅纳米线阵列的制备 | 第9-13页 |
| 1.2.2 硅纳米线阵列的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 减反特性研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3.1 减反微结构的起源 | 第14-15页 |
| 1.3.2 减反微结构的制备 | 第15页 |
| 1.3.3 硅纳米线阵列的减反性能 | 第15-16页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 硅纳米线阵列的制备与表征 | 第18-26页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 实验试剂及仪器 | 第18-19页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第18-19页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第19页 |
| 2.3 样品制备 | 第19-23页 |
| 2.4 性能检测 | 第23页 |
| 2.5 硅纳米线阵列的表征 | 第23-25页 |
| 2.5.1 扫描电子显微镜 | 第23-24页 |
| 2.5.2 紫外可见分光光度计 | 第24页 |
| 2.5.3 X射线衍射 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 硅纳米线阵列的结构调控研究 | 第26-48页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 沉积银阶段对结构的调控 | 第26-36页 |
| 3.2.1 沉积银形貌的影响因素 | 第26-31页 |
| 3.2.2 沉积银形貌对结构的影响 | 第31-36页 |
| 3.3 刻蚀阶段对结构的调控 | 第36-40页 |
| 3.3.1 刻蚀机理及方案 | 第36-37页 |
| 3.3.2 刻蚀时间的影响 | 第37-40页 |
| 3.4 后处理阶段对结构的调控 | 第40-47页 |
| 3.4.1 碱液腐蚀 | 第40-44页 |
| 3.4.2 表面氧化处理 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 硅纳米线阵列的减反特性 | 第48-62页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 长度对减反性的影响 | 第48-50页 |
| 4.2.1 不同长度硅纳米线阵列的制备 | 第48-49页 |
| 4.2.2 反射率随长度的变化 | 第49-50页 |
| 4.3 填充率对减反性的影响 | 第50-52页 |
| 4.3.1 不同填充率硅纳米线阵列的制备 | 第50-51页 |
| 4.3.2 反射率随填充率的变化 | 第51-52页 |
| 4.4 表面团聚对减反性的影响 | 第52-54页 |
| 4.4.1 不同表面团聚硅纳米线阵列的制备 | 第52-53页 |
| 4.4.2 反射率随表面团聚的变化 | 第53-54页 |
| 4.5 不同类型硅片的硅纳米线阵列减反特性 | 第54-60页 |
| 4.5.1 掺杂类型的影响 | 第54-56页 |
| 4.5.2 掺杂浓度的影响 | 第56-59页 |
| 4.5.3 不同晶型的影响 | 第59-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
