| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-30页 |
| 1.1 钙钛矿氧化物 | 第9-15页 |
| 1.1.1 钙钛矿氧化物的结构 | 第10-11页 |
| 1.1.2 钙钛矿氧化物的性质 | 第11-15页 |
| 1.2 类钙钛矿氧化物WO_3 | 第15-23页 |
| 1.2.1 非化学配比的WO_(3-δ) | 第16-18页 |
| 1.2.2 WO_3的能带结构 | 第18-19页 |
| 1.2.3 WO_3的物理化学性质与应用 | 第19-23页 |
| 1.3 应力调控对氧化物薄膜缺陷形成的影响 | 第23-25页 |
| 1.4 线缺陷 | 第25-28页 |
| 1.5 本论文的研究思路和主要内容 | 第28-30页 |
| 第2章 样品制备及物性测试 | 第30-39页 |
| 2.1 薄膜生长技术 | 第30-34页 |
| 2.1.1 薄膜材料生长方法简介 | 第30-31页 |
| 2.1.2 激光分子束外延(Laser-MBE)技术 | 第31-33页 |
| 2.1.3 反射式高能电子衍射仪(RHEED) | 第33-34页 |
| 2.2 材料表征 | 第34-38页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第34-36页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱分析(XPS) | 第36-37页 |
| 2.2.3 扫描透射电子显微镜(STEM) | 第37页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第37-38页 |
| 2.2.5 光栅光谱仪及光源 | 第38页 |
| 2.3 薄膜光刻工艺 | 第38-39页 |
| 第3章 应力调控WO_3线缺陷的形成以及其电学、光学性质研究 | 第39-53页 |
| 3.1 研究背景 | 第39页 |
| 3.2 薄膜WO_3中的新型线缺陷 | 第39-52页 |
| 3.2.1 WO_3薄膜的良好结晶质量 | 第40-44页 |
| 3.2.2 应变引起的线缺陷 | 第44-48页 |
| 3.2.3 线缺陷对材料性能的影响 | 第48-52页 |
| 3.3 小结 | 第52-53页 |
| 第4章 基于KTaO_3单晶的高性能可见盲光电探测器研究 | 第53-59页 |
| 4.1 研究背景 | 第53页 |
| 4.2 基于KTaO_3的紫外光电探测器的制备 | 第53-54页 |
| 4.3 光电测试结果及分析 | 第54-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 总结和展望 | 第59-61页 |
| 5.1 研究总结 | 第59页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
