| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第14-24页 |
| 1.1 钙钛矿氧化物异质结中的二维电子气 | 第14-18页 |
| 1.1.1 Mott绝缘体RTiO_3 | 第14-16页 |
| 1.1.2 基于STO异质结中的二维电子气 | 第16-18页 |
| 1.2 钙钛矿异质结中二维电子气的产生机制 | 第18-22页 |
| 1.2.1 极化不连续 | 第18-21页 |
| 1.2.2 O空位 | 第21-22页 |
| 1.2.3 界面处阳离子的混合 | 第22页 |
| 1.3 表面处二维电子气 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文工作 | 第23-24页 |
| 第二章 理论基础 | 第24-30页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第24-25页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第25页 |
| 2.3 交换关联泛函 | 第25-26页 |
| 2.4 赝势 | 第26-28页 |
| 2.4.1 赝势法的非唯一性 | 第26-27页 |
| 2.4.2 模守恒赝势、超软赝势及投影缀加平面波方法 | 第27-28页 |
| 2.5 DFT计算的基本要素 | 第28-30页 |
| 2.5.1 在布里渊区中选择k点 | 第28页 |
| 2.5.2 截断能 | 第28-30页 |
| 第三章 基于KTaO_3的表面和界面 | 第30-42页 |
| 3.1 应变对KTaO_3表面电子结构的影响 | 第30-37页 |
| 3.1.1 计算方法 | 第30页 |
| 3.1.2 KTO表面处二维载流子气随应变的变化 | 第30-33页 |
| 3.1.3 二维电子气的浓度及有效质量随应变和厚度的变化 | 第33-35页 |
| 3.1.4 应变对基于KTO的氧化物界面电子结构的影响 | 第35-37页 |
| 3.2 KTaO_3与铁磁半导体EuO超晶格结构 | 第37-40页 |
| 3.2.1 模型和计算方法 | 第37-38页 |
| 3.2.2 界面处二维电子气的自旋极化 | 第38-40页 |
| 3.3 KTaO_3与LaAlO_3的界面结构 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于RTiO_3(R=Gd和Y)的超晶格 | 第42-57页 |
| 4.1 GdTiO_3/BaTiO_3超晶格 | 第42-47页 |
| 4.1.1 计算方法 | 第42页 |
| 4.1.2 超晶格GdTiO_3/BaTiO_3的结构特性 | 第42-44页 |
| 4.1.3 超晶格GdTiO_3/BaTiO_3的电子结构特性 | 第44-47页 |
| 4.2 YTiO_3/SrTiO_3超晶格 | 第47-55页 |
| 4.2.1 计算方法 | 第47-48页 |
| 4.2.2 应变对(STO)_4/(YTO)_2超晶格结构特性的影响 | 第48-51页 |
| 4.2.3 应变调控的(STO)_4/(YTO)_2超晶格的绝缘体-金属转变 | 第51-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-72页 |
| 个人简历 | 第72-73页 |
| 发表文章目录 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
