| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 超光滑表面制造 | 第10-16页 |
| 1.2.1 纳米切削 | 第11-12页 |
| 1.2.2 纳米抛光 | 第12-15页 |
| 1.2.3 超光滑表面制造遇到的挑战与问题 | 第15-16页 |
| 1.3 单晶硅原子级去除研究现状 | 第16-25页 |
| 1.3.1 单晶硅概述 | 第16-17页 |
| 1.3.2 国内外原子级去除研究现状 | 第17-22页 |
| 1.3.3 单晶硅材料原子级去除可行性研究 | 第22-25页 |
| 1.4 课题研究意义及研究内容 | 第25-27页 |
| 1.4.1 课题研究意义 | 第25-26页 |
| 1.4.2 课题研究内容 | 第26-27页 |
| 第二章 实验材料和实验方法 | 第27-37页 |
| 2.1 实验材料 | 第27-28页 |
| 2.2 实验设备 | 第28-31页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第29-30页 |
| 2.2.2 纳米压痕/划痕仪 | 第30-31页 |
| 2.3 实验方法 | 第31-37页 |
| 2.3.1 样品标记的制作 | 第31-32页 |
| 2.3.2 磨损实验的条件 | 第32-35页 |
| 2.3.3 磨损的表征 | 第35-37页 |
| 第三章 原始硅表面原子级材料去除 | 第37-45页 |
| 3.1 原始硅表面原子级材料去除的条件 | 第37-39页 |
| 3.1.1 针尖对原始硅表面原子级材料去除的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.2 气氛对原始硅表面原子级材料去除的影响 | 第38-39页 |
| 3.2 载荷对原始硅表面原子级材料去除的影响规律 | 第39-44页 |
| 3.2.1 原始硅不同载荷下线磨损 | 第39-40页 |
| 3.2.2 原始硅表面变载面磨损 | 第40-41页 |
| 3.2.3 原始硅表面定载面磨损 | 第41-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 疏水硅表面原子级材料去除 | 第45-55页 |
| 4.1 载荷对疏水硅表面原子级材料去除的影响规律 | 第45-47页 |
| 4.2 速度对疏水硅表面原子级材料去除的影响规律 | 第47-49页 |
| 4.3 扫描行间距对疏水硅表面原子级材料去除的影响规律 | 第49-51页 |
| 4.4 湿度对疏水硅表面原子级材料去除的影响规律 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 单晶硅原子级材料去除机理初步探讨 | 第55-65页 |
| 5.1 机械作用与摩擦化学作用 | 第55-57页 |
| 5.2 单晶硅原子级材料去除的主要影响因素 | 第57-59页 |
| 5.2.1 水分对单晶硅原子级材料去除的影响 | 第57-58页 |
| 5.2.2 对磨副材料对单晶硅原子级材料去除的影响 | 第58-59页 |
| 5.3 摩擦耗散能对单晶硅原子级材料去除的影响 | 第59-63页 |
| 5.4 单晶硅表面原子级材料去除反应机理初步探讨 | 第63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 结论与展望 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |