内容提要 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第13-19页 |
1.1 课题研究背景 | 第13-14页 |
1.2 研究现状 | 第14-16页 |
1.3 课题研究目的及意义 | 第16-17页 |
1.4 本文主要内容 | 第17-19页 |
第二章 RTD 型磁通门原理 | 第19-42页 |
2.1 RTD 型磁通门磁测工作原理 | 第19-21页 |
2.2 RTD 型磁通门不同激励方式下的输出响应数学模型 | 第21-27页 |
2.2.1 正弦波激励方式下的输出响应数学模型 | 第21-24页 |
2.2.2 三角波激励方式下的输出响应数学模型 | 第24-25页 |
2.2.3 激励方式的选择 | 第25-27页 |
2.3 磁芯的磁滞回线特性研究 | 第27-41页 |
2.3.1 动态磁导率参数与输出响应之间的关系 | 第28-31页 |
2.3.2 动态反正切磁滞模型 | 第31-34页 |
2.3.3 基于动态反正切磁滞模型的输出响应分析 | 第34-38页 |
2.3.4 动态反正切磁滞模型在 RTD 型磁通门仿真中的应用 | 第38-41页 |
2.4 本章小结 | 第41-42页 |
第三章 RTD 型磁通门敏感元件的制作 | 第42-52页 |
3.1 RTD 型磁通门敏感元件的结构 | 第42-45页 |
3.1.1 敏感元件的磁路结构 | 第42-43页 |
3.1.2 敏感元件的骨架结构 | 第43-45页 |
3.1.3 敏感元件的磁芯尺寸 | 第45页 |
3.2 RTD 型磁通门敏感元件的线圈缠绕 | 第45-47页 |
3.2.1 线圈缠绕方式 | 第46页 |
3.2.2 激励线圈与感应线圈的匝数 | 第46-47页 |
3.3 RTD 型磁通门敏感元件的磁芯材料选择 | 第47-50页 |
3.3.1 磁芯材料选用原则 | 第48页 |
3.3.2 材料特性对比 | 第48-50页 |
3.4 RTD 型磁通门敏感元件的屏蔽体 | 第50-51页 |
3.5 本章小结 | 第51-52页 |
第四章 RTD 型磁通门数字化实现 | 第52-65页 |
4.1 激励信号发生装置设计 | 第52-55页 |
4.2 信号处理电路设计 | 第55-61页 |
4.2.1 前置放大电路设计 | 第56-57页 |
4.2.2 程控放大电路设计 | 第57-59页 |
4.2.3 整形电路设计 | 第59-61页 |
4.3 输出信号的数字化 | 第61-63页 |
4.4 本章小结 | 第63-65页 |
第五章 实验测试与结果分析 | 第65-75页 |
5.1 测试条件 | 第65-68页 |
5.1.1 实验环境 | 第65-66页 |
5.1.2 标准被测直流磁场 | 第66-67页 |
5.1.3 实验仪器 | 第67-68页 |
5.2 实验内容与结果分析 | 第68-74页 |
5.2.1 磁场测量范围 | 第69页 |
5.2.2 灵敏度 | 第69-70页 |
5.2.3 线性度 | 第70-72页 |
5.2.4 分辨力 | 第72-73页 |
5.2.5 精确度 | 第73-74页 |
5.3 本章小结 | 第74-75页 |
第六章 全文总结 | 第75-77页 |
6.1 主要研究工作与成果 | 第75-76页 |
6.2 本文的创新点 | 第76页 |
6.3 工作展望 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-84页 |
作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第84-85页 |
致谢 | 第85页 |