摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第9-25页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 过渡金属硫化物材料概述 | 第10-15页 |
1.2.1 载流子输运和散射机制 | 第12页 |
1.2.2 二硫化钼和二硫化钨的电学性质 | 第12-14页 |
1.2.3 二硫化钼和二硫化钨的光学性质 | 第14-15页 |
1.2.4 二硫化钼和二硫化钨的力学性质 | 第15页 |
1.3 二维过渡金属硫族化合物的制备方法 | 第15-19页 |
1.3.1 机械剥离法 | 第15-16页 |
1.3.2 锂离子插层剥离法 | 第16页 |
1.3.3 液相剥离法 | 第16-17页 |
1.3.4 水热法和溶剂热法 | 第17-18页 |
1.3.5 化学气相沉积法 | 第18-19页 |
1.3.6 其它合成方法 | 第19页 |
1.4 二维过渡金属硫化物的应用 | 第19-23页 |
1.4.1 场效应晶体管应用 | 第20页 |
1.4.2 发光二极管应用 | 第20-21页 |
1.4.3 传感器应用 | 第21页 |
1.4.4 锂电池及超级电容器方面的应用 | 第21-22页 |
1.4.5 谷电子学中的应用 | 第22-23页 |
1.4.6 催化方面的应用 | 第23页 |
1.5 论文选题与设计思路 | 第23-25页 |
第二章 实验材料及单层二硫化钼和二硫化钨的制备 | 第25-33页 |
2.1 实验试剂 | 第25-26页 |
2.2 实验仪器 | 第26页 |
2.3 实验设计方案 | 第26-28页 |
2.4 最佳生长条件的探索实验 | 第28-32页 |
2.4.1 氯化钠配比的实验 | 第28-29页 |
2.4.2 反应温度和时间的实验 | 第29-30页 |
2.4.3 氩载气流量的实验 | 第30-31页 |
2.4.4 硫加热温度的实验 | 第31-32页 |
2.5 单层二硫化钼和二硫化钨的制备实验 | 第32-33页 |
第三章 单层二硫化钼和二硫化钨的表征分析 | 第33-40页 |
3.1 引言 | 第33页 |
3.2 光学显微镜和扫描电子显微镜表征 | 第33-34页 |
3.3 拉曼光谱表征分析 | 第34-35页 |
3.4 光致发光光谱表征分析 | 第35-36页 |
3.5 透射电子显微镜表征分析 | 第36-38页 |
3.6 原子力显微镜表征 | 第38页 |
3.7 本章小结 | 第38-40页 |
第四章 单层二硫化钼和二硫化钨晶界的原位光学表征 | 第40-56页 |
4.1 引言 | 第40页 |
4.2 晶体缺陷的种类 | 第40-41页 |
4.3 晶体缺陷对材料性能影响 | 第41-43页 |
4.3.1 点缺陷对材料性能的影响 | 第41-42页 |
4.3.2 线缺陷对材料性能的影响 | 第42页 |
4.3.3 面缺陷对材料性能的影响 | 第42-43页 |
4.4 单层二硫化钼和二硫化钨晶界的表征分析 | 第43-49页 |
4.4.1 原子尺度的晶界表征 | 第43-44页 |
4.4.2 毫米尺度的晶界表征 | 第44-49页 |
4.5 金沉积法表征单层二硫化钼和二硫化钨的晶界 | 第49-54页 |
4.5.1 实验操作 | 第49页 |
4.5.2 金沉积厚度对晶界表征效果的影响 | 第49-50页 |
4.5.3 退火温度对晶界表征效果的影响 | 第50-51页 |
4.5.4 退火时间对晶界表征效果的影响 | 第51页 |
4.5.5 不同退火气氛对晶界表征效果的影响 | 第51-52页 |
4.5.6 实验表征分析 | 第52-54页 |
4.6 金沉积法普适性探究 | 第54-55页 |
4.7 本章小结 | 第55-56页 |
第五章 二硫化钼和二硫化钨的转移及电学性能研究 | 第56-61页 |
5.1 引言 | 第56页 |
5.2 二维TMDs材料在场效应晶体管上应用研究进展 | 第56-57页 |
5.3 化学气相沉积法生长的TMDs材料的转移 | 第57-58页 |
5.4 单层二硫化钼场效应晶体管的构建与测试 | 第58-60页 |
5.4.1 目标二硫化钼的转移 | 第58-59页 |
5.4.2 单层二硫化钼场效应晶体管的制备 | 第59页 |
5.4.3 单层二硫化钼场效应晶体管的性能测试 | 第59-60页 |
5.5 本章小结 | 第60-61页 |
结论 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-68页 |
致谢 | 第68-69页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第69-70页 |