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NaCl辅助制备单层MoS2/WS2及其晶界和电学性能的研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第一章 绪论第9-25页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 过渡金属硫化物材料概述第10-15页
        1.2.1 载流子输运和散射机制第12页
        1.2.2 二硫化钼和二硫化钨的电学性质第12-14页
        1.2.3 二硫化钼和二硫化钨的光学性质第14-15页
        1.2.4 二硫化钼和二硫化钨的力学性质第15页
    1.3 二维过渡金属硫族化合物的制备方法第15-19页
        1.3.1 机械剥离法第15-16页
        1.3.2 锂离子插层剥离法第16页
        1.3.3 液相剥离法第16-17页
        1.3.4 水热法和溶剂热法第17-18页
        1.3.5 化学气相沉积法第18-19页
        1.3.6 其它合成方法第19页
    1.4 二维过渡金属硫化物的应用第19-23页
        1.4.1 场效应晶体管应用第20页
        1.4.2 发光二极管应用第20-21页
        1.4.3 传感器应用第21页
        1.4.4 锂电池及超级电容器方面的应用第21-22页
        1.4.5 谷电子学中的应用第22-23页
        1.4.6 催化方面的应用第23页
    1.5 论文选题与设计思路第23-25页
第二章 实验材料及单层二硫化钼和二硫化钨的制备第25-33页
    2.1 实验试剂第25-26页
    2.2 实验仪器第26页
    2.3 实验设计方案第26-28页
    2.4 最佳生长条件的探索实验第28-32页
        2.4.1 氯化钠配比的实验第28-29页
        2.4.2 反应温度和时间的实验第29-30页
        2.4.3 氩载气流量的实验第30-31页
        2.4.4 硫加热温度的实验第31-32页
    2.5 单层二硫化钼和二硫化钨的制备实验第32-33页
第三章 单层二硫化钼和二硫化钨的表征分析第33-40页
    3.1 引言第33页
    3.2 光学显微镜和扫描电子显微镜表征第33-34页
    3.3 拉曼光谱表征分析第34-35页
    3.4 光致发光光谱表征分析第35-36页
    3.5 透射电子显微镜表征分析第36-38页
    3.6 原子力显微镜表征第38页
    3.7 本章小结第38-40页
第四章 单层二硫化钼和二硫化钨晶界的原位光学表征第40-56页
    4.1 引言第40页
    4.2 晶体缺陷的种类第40-41页
    4.3 晶体缺陷对材料性能影响第41-43页
        4.3.1 点缺陷对材料性能的影响第41-42页
        4.3.2 线缺陷对材料性能的影响第42页
        4.3.3 面缺陷对材料性能的影响第42-43页
    4.4 单层二硫化钼和二硫化钨晶界的表征分析第43-49页
        4.4.1 原子尺度的晶界表征第43-44页
        4.4.2 毫米尺度的晶界表征第44-49页
    4.5 金沉积法表征单层二硫化钼和二硫化钨的晶界第49-54页
        4.5.1 实验操作第49页
        4.5.2 金沉积厚度对晶界表征效果的影响第49-50页
        4.5.3 退火温度对晶界表征效果的影响第50-51页
        4.5.4 退火时间对晶界表征效果的影响第51页
        4.5.5 不同退火气氛对晶界表征效果的影响第51-52页
        4.5.6 实验表征分析第52-54页
    4.6 金沉积法普适性探究第54-55页
    4.7 本章小结第55-56页
第五章 二硫化钼和二硫化钨的转移及电学性能研究第56-61页
    5.1 引言第56页
    5.2 二维TMDs材料在场效应晶体管上应用研究进展第56-57页
    5.3 化学气相沉积法生长的TMDs材料的转移第57-58页
    5.4 单层二硫化钼场效应晶体管的构建与测试第58-60页
        5.4.1 目标二硫化钼的转移第58-59页
        5.4.2 单层二硫化钼场效应晶体管的制备第59页
        5.4.3 单层二硫化钼场效应晶体管的性能测试第59-60页
    5.5 本章小结第60-61页
结论第61-63页
参考文献第63-68页
致谢第68-69页
攻读学位期间发表的学术论文第69-70页

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