| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展与研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的应用前景 | 第14-20页 |
| 1.4 有机薄膜晶体管的常见材料 | 第20-23页 |
| 1.4.1 有源层材料 | 第20-21页 |
| 1.4.2 绝缘层材料 | 第21-23页 |
| 1.4.3 电极材料 | 第23页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第23-25页 |
| 第二章 有机薄膜晶体管的结构、机理及制备工艺 | 第25-46页 |
| 2.1 有机薄膜晶体管的结构 | 第25-27页 |
| 2.1.1 有机薄膜晶体管的结构分类 | 第25-26页 |
| 2.1.2 有机薄膜晶体管各结构的比较 | 第26-27页 |
| 2.2 OTFT 的内部机理 | 第27-34页 |
| 2.2.1 OTFT 工作原理 | 第27-30页 |
| 2.2.2 OTFT 中载流子的传输 | 第30-34页 |
| 2.3 有机薄膜晶体管的主要性能参数 | 第34-38页 |
| 2.3.1 有机半导体的基本电学参数 | 第34-36页 |
| 2.3.2 OTFT 的参数提取 | 第36-38页 |
| 2.4 OTFT 的制备流程与测试 | 第38-46页 |
| 2.4.1 成膜技术简介 | 第38-40页 |
| 2.4.2 OTFT 的制备 | 第40-43页 |
| 2.4.3 OTFT 的测试 | 第43-44页 |
| 2.4.4 OTFT 有源层厚度优化 | 第44-46页 |
| 第三章 利用源漏电极缓冲层改善 OTFT 性能 | 第46-68页 |
| 3.1 有机薄膜晶体管源漏电极与有源层的接触 | 第46-51页 |
| 3.1.1 金与并五苯之间的接触界面 | 第47页 |
| 3.1.2 并五苯与金之间接触电阻的来源 | 第47-51页 |
| 3.2 利用缓冲层改善 OTFT 的性能 | 第51-59页 |
| 3.2.1 器件结构 | 第51-52页 |
| 3.2.2 器件性能和结果分析 | 第52-59页 |
| 3.2.3 小结 | 第59页 |
| 3.3 利用 P 掺杂型缓冲层改善 OTFT 的性能 | 第59-68页 |
| 3.3.1 器件结构 | 第60页 |
| 3.3.2 器件性能和结果分析 | 第60-66页 |
| 3.3.3 小结 | 第66-68页 |
| 第四章 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 作者简介及研究生期间科研成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |