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电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能改善的研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第11-25页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 有机薄膜晶体管的发展与研究现状第12-14页
    1.3 有机薄膜晶体管的应用前景第14-20页
    1.4 有机薄膜晶体管的常见材料第20-23页
        1.4.1 有源层材料第20-21页
        1.4.2 绝缘层材料第21-23页
        1.4.3 电极材料第23页
    1.5 本论文的主要工作第23-25页
第二章 有机薄膜晶体管的结构、机理及制备工艺第25-46页
    2.1 有机薄膜晶体管的结构第25-27页
        2.1.1 有机薄膜晶体管的结构分类第25-26页
        2.1.2 有机薄膜晶体管各结构的比较第26-27页
    2.2 OTFT 的内部机理第27-34页
        2.2.1 OTFT 工作原理第27-30页
        2.2.2 OTFT 中载流子的传输第30-34页
    2.3 有机薄膜晶体管的主要性能参数第34-38页
        2.3.1 有机半导体的基本电学参数第34-36页
        2.3.2 OTFT 的参数提取第36-38页
    2.4 OTFT 的制备流程与测试第38-46页
        2.4.1 成膜技术简介第38-40页
        2.4.2 OTFT 的制备第40-43页
        2.4.3 OTFT 的测试第43-44页
        2.4.4 OTFT 有源层厚度优化第44-46页
第三章 利用源漏电极缓冲层改善 OTFT 性能第46-68页
    3.1 有机薄膜晶体管源漏电极与有源层的接触第46-51页
        3.1.1 金与并五苯之间的接触界面第47页
        3.1.2 并五苯与金之间接触电阻的来源第47-51页
    3.2 利用缓冲层改善 OTFT 的性能第51-59页
        3.2.1 器件结构第51-52页
        3.2.2 器件性能和结果分析第52-59页
        3.2.3 小结第59页
    3.3 利用 P 掺杂型缓冲层改善 OTFT 的性能第59-68页
        3.3.1 器件结构第60页
        3.3.2 器件性能和结果分析第60-66页
        3.3.3 小结第66-68页
第四章 结论第68-69页
参考文献第69-74页
作者简介及研究生期间科研成果第74-75页
致谢第75页

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