| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 课题的国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 课题研究内容 | 第12-13页 |
| 1.4 论文结构 | 第13-14页 |
| 第二章 单粒子瞬态研究基础 | 第14-28页 |
| 2.1 辐射环境及辐射效应 | 第14-18页 |
| 2.1.1 辐射环境 | 第14-16页 |
| 2.1.2 辐射效应 | 第16-18页 |
| 2.2 单粒子瞬态效应理论基础 | 第18-22页 |
| 2.2.1 单粒子瞬态效应 | 第18-19页 |
| 2.2.2 电荷的沉积与收集 | 第19-22页 |
| 2.3 单粒子瞬态脉冲传播特性分析 | 第22-24页 |
| 2.3.1 掩蔽效应 | 第22-23页 |
| 2.3.2 展宽效应 | 第23页 |
| 2.3.3 衰减效应 | 第23-24页 |
| 2.4 单粒子瞬态效应的分析方法 | 第24-27页 |
| 2.4.1 基于模型分析的软错误率算法 | 第25页 |
| 2.4.2 基于仿真软件的模拟 | 第25-26页 |
| 2.4.3 硬件模拟 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 单粒子瞬态物理建模 | 第28-39页 |
| 3.1 Sentaurus TCAD及混合仿真介绍 | 第28-29页 |
| 3.2 三维器件的单管建模及工艺校准 | 第29-31页 |
| 3.3 粒子入射模拟 | 第31-38页 |
| 3.3.1 模拟原理 | 第31-34页 |
| 3.3.2 模拟配置 | 第34-36页 |
| 3.3.3 模拟结果分析 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 基于65 nm新型反相器抗SET加固方法研究 | 第39-57页 |
| 4.1 相关研究现状分析 | 第39-40页 |
| 4.2 新型反相器抗SET加固方法 | 第40-46页 |
| 4.2.1 反相器加固电路结构 | 第41-42页 |
| 4.2.2 内部器件模型及校准 | 第42-44页 |
| 4.2.3 加固电路功能验证 | 第44-46页 |
| 4.3 新型反相器抗SET加固分析 | 第46-54页 |
| 4.3.1 基于面积等效的加固分析 | 第46-50页 |
| 4.3.2 基于驱动等效的加固分析 | 第50-54页 |
| 4.4 基于P~+深阱掺杂浓度的设计优化 | 第54-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结和展望 | 第57-59页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第57-58页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读学位期间取得的学术成果 | 第64页 |