摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-10页 |
1 前言 | 第10-26页 |
·选题背景及研究意义 | 第10-11页 |
·碳化硅材料及其应用 | 第11-15页 |
·碳化硅材料概述 | 第11-12页 |
·碳化硅的晶体结构与性能 | 第12-13页 |
·碳化硅材料的应用 | 第13-15页 |
·碳化硅材料制备方法的研究现状及发展趋势 | 第15-19页 |
·固相反应合成碳化硅粉体 | 第15-17页 |
·液相反应合成碳化硅粉体 | 第17-18页 |
·气相反应合成碳化硅粉体 | 第18-19页 |
·工业制备碳化硅的研究现状 | 第19-24页 |
·国外研究动态 | 第19-22页 |
·国内研究现状及发展 | 第22-24页 |
·研究内容 | 第24页 |
·研究方法 | 第24-25页 |
·技术路线 | 第25-26页 |
2 多热源合成碳化硅温度场数学模型及数值计算 | 第26-60页 |
·合成炉的传热学模型 | 第26-30页 |
·碳化硅合成炉内传热学分析 | 第26-29页 |
·简化与假设 | 第29页 |
·单热源合成碳化硅温度场的传热学模型 | 第29页 |
·多热源合成碳化硅温度场的传热学模型 | 第29-30页 |
·单值性条件的确定 | 第30-51页 |
·几何条件 | 第30-31页 |
·物理条件 | 第31-45页 |
·时间条件 | 第45-46页 |
·边界条件 | 第46-51页 |
·碳化硅合成炉温度场数学模型以及数值计算 | 第51-59页 |
·单热源合成碳化硅温度场的数学模型 | 第51页 |
·多热源合成碳化硅温度场的数学模型 | 第51-52页 |
·多热源合成碳化硅温度场的数值计算原理 | 第52-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
3 多热源多向流体系制备碳化硅材料的温度场演变规律研究 | 第60-73页 |
·单热源合成炉温度场的演变规律研究 | 第60-65页 |
·不同合成时间温度场的演变规律 | 第60-63页 |
·不同表面负荷温度场的演变规律 | 第63-65页 |
·多热源合成炉温度场演变规律研究 | 第65-72页 |
·温度场随合成时间的演变规律 | 第65-69页 |
·温度场随热源表面负荷的演变规律 | 第69-72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
4 多热源多方向能量流及物质流扩散动力学研究 | 第73-103页 |
·多热源合成碳化硅多方向能量流扩散机理 | 第73-85页 |
·多热源合成碳化硅多方向物质流扩散动力学研究 | 第85-102页 |
·本章小结 | 第102-103页 |
5 多热源合成炉热源数目的判定模型 | 第103-114页 |
·热源数目判定模型 | 第103-105页 |
·热源数目判定及工业实例 | 第105-113页 |
·本章小结 | 第113-114页 |
6 多热源多向流体系合成碳化硅实验研究 | 第114-136页 |
·测温实验 | 第114-117页 |
·单热源合成碳化硅实验研究 | 第117-120页 |
·多热源合成碳化硅实验研究 | 第120-132页 |
·多热源合成碳化硅工业试验 | 第132-135页 |
·本章小结 | 第135-136页 |
7 结论 | 第136-139页 |
·主要结论 | 第136-138页 |
·主要创新点 | 第138页 |
·研究展望 | 第138-139页 |
致谢 | 第139-140页 |
参考文献 | 第140-147页 |
附录 | 第147-148页 |