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多热源多向流体系碳化硅材料制备理论及应用

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-10页
1 前言第10-26页
   ·选题背景及研究意义第10-11页
   ·碳化硅材料及其应用第11-15页
     ·碳化硅材料概述第11-12页
     ·碳化硅的晶体结构与性能第12-13页
     ·碳化硅材料的应用第13-15页
   ·碳化硅材料制备方法的研究现状及发展趋势第15-19页
     ·固相反应合成碳化硅粉体第15-17页
     ·液相反应合成碳化硅粉体第17-18页
     ·气相反应合成碳化硅粉体第18-19页
   ·工业制备碳化硅的研究现状第19-24页
     ·国外研究动态第19-22页
     ·国内研究现状及发展第22-24页
   ·研究内容第24页
   ·研究方法第24-25页
   ·技术路线第25-26页
2 多热源合成碳化硅温度场数学模型及数值计算第26-60页
   ·合成炉的传热学模型第26-30页
     ·碳化硅合成炉内传热学分析第26-29页
     ·简化与假设第29页
     ·单热源合成碳化硅温度场的传热学模型第29页
     ·多热源合成碳化硅温度场的传热学模型第29-30页
   ·单值性条件的确定第30-51页
     ·几何条件第30-31页
     ·物理条件第31-45页
     ·时间条件第45-46页
     ·边界条件第46-51页
   ·碳化硅合成炉温度场数学模型以及数值计算第51-59页
     ·单热源合成碳化硅温度场的数学模型第51页
     ·多热源合成碳化硅温度场的数学模型第51-52页
     ·多热源合成碳化硅温度场的数值计算原理第52-59页
   ·本章小结第59-60页
3 多热源多向流体系制备碳化硅材料的温度场演变规律研究第60-73页
   ·单热源合成炉温度场的演变规律研究第60-65页
     ·不同合成时间温度场的演变规律第60-63页
     ·不同表面负荷温度场的演变规律第63-65页
   ·多热源合成炉温度场演变规律研究第65-72页
     ·温度场随合成时间的演变规律第65-69页
     ·温度场随热源表面负荷的演变规律第69-72页
   ·本章小结第72-73页
4 多热源多方向能量流及物质流扩散动力学研究第73-103页
   ·多热源合成碳化硅多方向能量流扩散机理第73-85页
   ·多热源合成碳化硅多方向物质流扩散动力学研究第85-102页
   ·本章小结第102-103页
5 多热源合成炉热源数目的判定模型第103-114页
   ·热源数目判定模型第103-105页
   ·热源数目判定及工业实例第105-113页
   ·本章小结第113-114页
6 多热源多向流体系合成碳化硅实验研究第114-136页
   ·测温实验第114-117页
   ·单热源合成碳化硅实验研究第117-120页
   ·多热源合成碳化硅实验研究第120-132页
   ·多热源合成碳化硅工业试验第132-135页
   ·本章小结第135-136页
7 结论第136-139页
   ·主要结论第136-138页
   ·主要创新点第138页
   ·研究展望第138-139页
致谢第139-140页
参考文献第140-147页
附录第147-148页

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