| 作者简介 | 第2-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 GaN基材料概述 | 第12-19页 |
| 1.1.1 GaN基材料的基本特性 | 第12-15页 |
| 1.1.2 GaN基材料的生长方法及缺陷密度 | 第15-17页 |
| 1.1.3 GaN基材料的欧姆接触 | 第17-19页 |
| 1.2 GaN基紫外探测器的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 本论文的研究意义 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的主要工作和创新 | 第22-24页 |
| 1.4.1 本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 1.4.2 本论文的主要创新点 | 第23-24页 |
| 第二章 能带图和载流子分布的计算模型与计算方法 | 第24-46页 |
| 2.1 GaN同质结能带图和载流子的数值计算 | 第24-29页 |
| 2.1.1 能带计算模型 | 第24-27页 |
| 2.1.2 泊松方程的数值计算 | 第27页 |
| 2.1.3 计算结果 | 第27-29页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结能带图和载流子分布的数值计算 | 第29-38页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN异质结构中的极化效应 | 第29-31页 |
| 2.2.2 薛定谔-泊松方程自洽求解 | 第31-34页 |
| 2.2.3 数值计算方法 | 第34-38页 |
| 2.3 极化效应对异质结的影响 | 第38-44页 |
| 2.3.1 极化效应对AlGaN/GaN的影响 | 第38-41页 |
| 2.3.2 极化效应对GaN/AlGaN/GaN的影响 | 第41-44页 |
| 2.3.3 极化效应对AlGaN/GaN/AlGaN的影响 | 第44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 光照对GaN p-i-n型紫外探测器的影响 | 第46-82页 |
| 3.1 GaN p-i-n型紫外探测器的静态特性 | 第46-53页 |
| 3.1.1 p-i-n型探测器的性能参数 | 第47-48页 |
| 3.1.2 迁移率模型 | 第48-51页 |
| 3.1.3 光吸收系数模型 | 第51-53页 |
| 3.2 GaN p-i-n型紫外探测器的光生屏蔽效应模型 | 第53-70页 |
| 3.2.1 光生屏蔽效应数值模型 | 第53-57页 |
| 3.2.2 光生载流子分布和光生屏蔽电场 | 第57-61页 |
| 3.2.3 光生屏蔽效应对器件响应时间的影响 | 第61-63页 |
| 3.2.4 耗尽区厚度对光生屏蔽效应的影响 | 第63-64页 |
| 3.2.5 载流子寿命对光生屏蔽效应的影响 | 第64-66页 |
| 3.2.6 光照强度对光生屏蔽效应的影响 | 第66-68页 |
| 3.2.7 外加偏压对光生屏蔽效应的影响 | 第68-70页 |
| 3.3 GaN p-i-n型紫外探测器的光生寄生电容模型 | 第70-76页 |
| 3.3.1 光生寄生电容数值模型 | 第70-72页 |
| 3.3.2 光照强度对光生寄生电容的影响 | 第72-74页 |
| 3.3.3 载流子寿命对光生寄生电容的影响 | 第74-75页 |
| 3.3.4 外加偏压对光生寄生电容的影响 | 第75-76页 |
| 3.4 光照特性的实验测试 | 第76-80页 |
| 3.4.1 光生屏蔽效应的实验测试 | 第76-77页 |
| 3.4.2 光生寄生电容的实验测试 | 第77-80页 |
| 3.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 第四章 AlGaN/GaN异质结p-i-n型紫外探测器 | 第82-102页 |
| 4.1 AlGaN/GaN异质结p-i-n型探测器的结构与模型 | 第82-85页 |
| 4.1.1 AlGaN/GaN异质结p-i-n型紫外探测器的结构 | 第82-83页 |
| 4.1.2 AlGaN/GaN异质界面的极化驰豫 | 第83-84页 |
| 4.1.3 AlGaN/GaN异质结p-i-n型紫外探测器的光子吸收 | 第84-85页 |
| 4.2 AlGaN/GaN异质结p-i-n型探测器的光电响应特性 | 第85-95页 |
| 4.2.1 外加偏压对探测器光电响应的影响 | 第86-90页 |
| 4.2.2 p-AlGaN层掺杂浓度对探测器光电响应的影响 | 第90-93页 |
| 4.2.3 AlGaN/GaN异质结压电驰豫对器件光电响应的影响 | 第93-95页 |
| 4.3 AlGaN/GaN异质结p-i-n型紫外探测器响应波段的可调性 | 第95-97页 |
| 4.4 AlGaN/GaN异质结p-i-n型探测器的光生屏蔽特性 | 第97-101页 |
| 4.5 本章小结 | 第101-102页 |
| 第五章 AlGaN/AlGaN/GaN双异质结p-p-i-n型紫外探测器 | 第102-118页 |
| 5.1 双异质结p-p-i-n型紫外探测器的结构与模型 | 第102-104页 |
| 5.2 双异质结p-p-i-n型紫外探测器的光电响应特性 | 第104-111页 |
| 5.2.1 外加偏压对双异质结p-p-i-n型探测器光电响应的影响 | 第104-107页 |
| 5.2.2 AlGaN层掺杂浓度对双异质结p-p-i-n型探测器光电响应的影响 | 第107-111页 |
| 5.3 双异质结p-p-i-n型紫外探测器响应波段的可调性 | 第111-113页 |
| 5.4 双异质结p-p-i-n型紫外探测器的光生屏蔽特性 | 第113-116页 |
| 5.5 本章小结 | 第116-118页 |
| 第六章 结束语 | 第118-122页 |
| 6.1 结论 | 第118-120页 |
| 6.2 展望 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-136页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第136-137页 |
| 发表论文 | 第136-137页 |
| 发明专利 | 第137页 |
| 参加科研项目 | 第137页 |
