| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 TiO_2薄膜概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 TiO_2的晶体结构和性能 | 第11-13页 |
| 1.2.2 TiO_2薄膜的应用 | 第13-14页 |
| 1.3 Al_2O_3薄膜概述 | 第14-16页 |
| 1.3.1 Al_2O_3的晶体结构和性能 | 第14-16页 |
| 1.3.2 Al_2O_3薄膜的应用 | 第16页 |
| 1.4 薄膜的制备方法 | 第16-19页 |
| 1.4.1 溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第17页 |
| 1.4.2 化学气相沉积发(CVD) | 第17-18页 |
| 1.4.3 物理气相沉积法(PVD) | 第18-19页 |
| 1.5 本研究的目的意义与主要内容 | 第19-21页 |
| 1.5.1 本文研究的目的与意义 | 第19页 |
| 1.5.2 本研究的主要内容 | 第19-21页 |
| 第2章 实验原理、方法与设备 | 第21-33页 |
| 2.1 射频(RF)反应磁控溅射原理 | 第21-28页 |
| 2.1.1 辉光放电原理 | 第21-24页 |
| 2.1.2 磁控溅射机理 | 第24-25页 |
| 2.1.3 射频(RF)反应磁控溅射机理 | 第25-28页 |
| 2.2 薄膜制备的设备与步骤 | 第28-30页 |
| 2.2.1 薄膜制备的设备 | 第28页 |
| 2.2.2 薄膜制备的步骤 | 第28-30页 |
| 2.3 薄膜性能表征 | 第30-33页 |
| 2.3.1 XRD物相分析 | 第30页 |
| 2.3.2 表面形貌分析 | 第30页 |
| 2.3.3 测重法分析膜厚 | 第30-31页 |
| 2.3.4 电化学测试 | 第31-33页 |
| 第3章 TiO_2薄膜的制备和性能研究 | 第33-53页 |
| 3.1 溅射温度对TiO_2薄膜的影响 | 第33-39页 |
| 3.1.1 溅射温度对TiO_2薄膜表面形貌的影响 | 第33-35页 |
| 3.1.2 不同基片温度下制备的TiO_2薄膜XRD分析 | 第35-37页 |
| 3.1.3 溅射温度对TiO_2薄膜耐蚀性的影响 | 第37-39页 |
| 3.2 溅射气压对TiO_2薄膜的影响 | 第39-44页 |
| 3.2.1 总气压对TiO_2薄膜的影响 | 第39-42页 |
| 3.2.2 氧分压对TiO_2薄膜的影响 | 第42-44页 |
| 3.3 靶功率对TiO_2薄膜的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.1 靶功率对TiO_2薄膜形貌的影响 | 第44-45页 |
| 3.3.2 溅射功率对TiO_2薄膜耐蚀性的影响 | 第45-46页 |
| 3.4 沉积时间对TiO_2薄膜的影响 | 第46-48页 |
| 3.4.1 沉积时间对TiO_2薄膜形貌的影响 | 第46-47页 |
| 3.4.2 沉积时间对TiO_2薄膜耐蚀性的影响 | 第47-48页 |
| 3.5 薄膜的沉积速率以及在支架上的结合情况 | 第48-53页 |
| 3.5.1 薄膜的沉积速率 | 第48-49页 |
| 3.5.2 薄膜的在支架上的结合力 | 第49-53页 |
| 第4章 Al_2O_3薄膜的研究 | 第53-59页 |
| 4.1 基片温度对Al_2O_3薄膜的影响 | 第53-59页 |
| 4.1.1 基片温度对Al_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第53-54页 |
| 4.1.2 不同基片温度下制备的Al_2O_3薄膜XRD分析 | 第54-56页 |
| 4.1.3 温度对Al_2O_3薄膜耐蚀性的影响 | 第56-59页 |
| 第5章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
