| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 引言 | 第8-23页 |
| ·ZnO 的结构与性质 | 第8-10页 |
| ·ZnO 材料的基本结构 | 第8-9页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第9-10页 |
| ·透明导电薄膜 | 第10-15页 |
| ·薄膜材料掺杂的作用 | 第10-12页 |
| ·掺杂的理论基础 | 第12-13页 |
| ·原子点缺陷的施主或受主作用及它们的能级位置 | 第13-14页 |
| ·金属氧化物晶体中的电子点缺陷 | 第14-15页 |
| ·透明导电薄膜发展水平展望 | 第15页 |
| ·ZAO 薄膜的基本特性及制备方法 | 第15-22页 |
| ·基本特性和光电原理 | 第15-16页 |
| ·ZAO 薄膜的主要制备方法 | 第16-18页 |
| ·电子束蒸发法制备ZAO 薄膜的设备简介及工艺原理 | 第18-22页 |
| ·研究的目的与意义 | 第22-23页 |
| 2 实验原料与设备 | 第23-26页 |
| ·实验用主要原料 | 第23页 |
| ·实验设备 | 第23页 |
| ·薄膜的制备 | 第23-24页 |
| ·玻璃基片的清洗 | 第23-24页 |
| ·镀膜 | 第24页 |
| ·材料性能测试 | 第24-26页 |
| ·样品的X 射线衍射分析 | 第24页 |
| ·紫外-可见光光谱分析 | 第24-25页 |
| ·SEM 分析 | 第25-26页 |
| 3 靶材料的制备与表征 | 第26-32页 |
| ·靶材料的制备 | 第26-27页 |
| ·烧结工艺曲线的初步确定 | 第27-28页 |
| ·ZAO 靶材性能分析 | 第28-31页 |
| ·掺杂量对靶材物相的影响 | 第28-30页 |
| ·靶材的断口形貌 | 第30-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 4 ZnO:Al 薄膜的制备与表征 | 第32-41页 |
| ·实验参数 | 第32-33页 |
| ·薄膜的物相组成 | 第33页 |
| ·薄膜的形貌 | 第33-34页 |
| ·氧分压对薄膜透射率的影响 | 第34-35页 |
| ·薄膜厚度对透射率的影响 | 第35-37页 |
| ·衬底温度对ZAO 薄膜性能的影响 | 第37-38页 |
| ·掺杂量对ZAO 薄膜光学性能的影响 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-41页 |
| 5 退火对ZAO 薄膜结构和性能的影响 | 第41-47页 |
| ·退火对ZAO 薄膜物相的影响 | 第41-42页 |
| ·退火薄膜的形貌 | 第42-43页 |
| ·退火处理对ZAO 薄膜光学性能的影响 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 6 薄膜的光致发光光谱 | 第47-51页 |
| ·衬底温度对荧光发光光谱的影响 | 第47-48页 |
| ·镀膜时间对荧光光谱的影响 | 第48-49页 |
| ·退火温度对发射光谱的影响 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |