| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 电介质陶瓷 | 第12-15页 |
| 1.1.1 电介质物理基础理论 | 第13-14页 |
| 1.1.2 电介质击穿理论 | 第14-15页 |
| 1.2 电介质陶瓷储能理论 | 第15-17页 |
| 1.3 储能电介质陶瓷进展 | 第17-22页 |
| 1.3.1 玻璃-陶瓷 | 第17-19页 |
| 1.3.2 TiO2电介质陶瓷 | 第19页 |
| 1.3.3 SrTiO_3基陶瓷 | 第19-20页 |
| 1.3.4 PbZrO_3基储能介质材料 | 第20-21页 |
| 1.3.5 BaTiO_3基储能介质材料 | 第21-22页 |
| 1.4 研究体系的选择 | 第22-25页 |
| 1.4.1 基体的选择 | 第22-23页 |
| 1.4.2 BaTiO_3的电学结构与性能 | 第23-24页 |
| 1.4.3“核壳”结构材料的制备方法 | 第24-25页 |
| 1.5 论文研究目的与内容 | 第25-26页 |
| 第2章 SiO_2包覆BaTiO_3粉体及其陶瓷的制备、结构及性能表征 | 第26-31页 |
| 2.1 实验原料 | 第26页 |
| 2.2 制备工艺 | 第26-28页 |
| 2.3 结构与性能测试 | 第28-31页 |
| 2.3.1 体积密度 | 第28-29页 |
| 2.3.2 物相结构分析 | 第29页 |
| 2.3.3 介电性能测试 | 第29-30页 |
| 2.3.4 铁电性能测试 | 第30页 |
| 2.3.5 扫描电子显微分析（SEM） | 第30页 |
| 2.3.6 透射电子显微分析（TEM） | 第30-31页 |
| 第3章 xwt% SiO_2包覆 100nm BaTiO_3粉体及其对陶瓷材料储能性能的影响 | 第31-42页 |
| 3.1 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的制备 | 第31-33页 |
| 3.1.1 xwt% SiO_2@1BT粉体的制备 | 第31-32页 |
| 3.1.2 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的烧结性能 | 第32-33页 |
| 3.2 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的物相结构及微观结构 | 第33-36页 |
| 3.2.1 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的物相结构 | 第33-34页 |
| 3.2.2 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的微观结构 | 第34-36页 |
| 3.3 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的电学性能 | 第36-41页 |
| 3.3.1 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的介温性能 | 第36-37页 |
| 3.3.2 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的漏电流与电阻率 | 第37-39页 |
| 3.3.3 xwt%SiO2@1BT陶瓷的P-E曲线 | 第39-40页 |
| 3.3.4 xwt% SiO_2@1BT陶瓷的耐电压性能及储能密度 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 xwt% SiO_2包覆 300nm BaTiO_3粉体及其对陶瓷材料储能性能的影响 | 第42-62页 |
| 4.1xwt% SiO_2@3BT陶瓷 | 第42-57页 |
| 4.1.1 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的制备 | 第42-45页 |
| 4.1.2 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的物相结构 | 第45页 |
| 4.1.3 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的微观形貌 | 第45-48页 |
| 4.1.4 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的介温性能 | 第48-50页 |
| 4.1.5 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的容温变化 | 第50-51页 |
| 4.1.6 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的偏压稳定性 | 第51-53页 |
| 4.1.7 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的漏电流与电阻率 | 第53-54页 |
| 4.1.8 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的P-E曲线 | 第54-55页 |
| 4.1.9 xwt% SiO_2@3BT陶瓷的储能密度与P-E曲线 | 第55-57页 |
| 4.2 制备工艺对陶瓷性能的影响 | 第57-60页 |
| 4.2.1 物相结构的对比 | 第57-58页 |
| 4.2.2 微观结构的对比 | 第58-59页 |
| 4.2.3 介温性能对比 | 第59页 |
| 4.2.4 储能及耐电压性能的对比 | 第59-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 Nb_2O_5改性 2wt% SiO_2@3BT陶瓷介质材料的制备与电学性能研究 | 第62-73页 |
| 5.1 Nb_2O_5改性 2wt% SiO_2@3BT陶瓷 | 第63-66页 |
| 5.1.1 制备工艺 | 第63-64页 |
| 5.1.2 物相结构 | 第64-66页 |
| 5.1.3 陶瓷的显微结构 | 第66页 |
| 5.2 陶瓷的电学性能 | 第66-72页 |
| 5.2.1 烧结气氛对介电性能的影响 | 第66-68页 |
| 5.2.2 热处理对介电性能的影响 | 第68-69页 |
| 5.2.3 烧结气氛对P-E曲线的影响 | 第69-71页 |
| 5.2.4 热处理对P-E曲线的影响 | 第71-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第6章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 已发表的文章 | 第81页 |
