摘要 | 第4-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
1 绪论 | 第15-39页 |
1.1 金属氧化物半导体气敏材料 | 第15-23页 |
1.1.1 金属氧化物气敏材料分类 | 第15-17页 |
1.1.2 金属氧化物材料的气体敏感机理 | 第17-19页 |
1.1.3 金属氧化物材料的气敏影响因素 | 第19-22页 |
1.1.4 低维金属氧化物基纳米异质结构材料 | 第22-23页 |
1.2 WO_3基气敏材料 | 第23-32页 |
1.2.1 WO_3用作气敏材料 | 第23-24页 |
1.2.2 贵金属/WO_3气敏材料 | 第24-28页 |
1.2.3 氧化物半导体/WO_3气敏材料 | 第28-30页 |
1.2.4 导电聚合物/WO_3气敏材料 | 第30页 |
1.2.5 金属/金属氧化物/WO_3三元气敏材料 | 第30-31页 |
1.2.6 WO_3基复合材料的制备方法 | 第31-32页 |
1.3 金属氧化物/石墨烯敏感材料 | 第32-35页 |
1.3.1 石墨烯的结构、性质和应用 | 第32-33页 |
1.3.2 金属氧化物/石墨烯敏感材料 | 第33-34页 |
1.3.3 SnO_2/石墨烯敏感材料及其制备 | 第34-35页 |
1.4 微波辅助合成纳米材料 | 第35-36页 |
1.5 课题的提出及研究内容 | 第36-39页 |
1.5.1 课题研究的思路 | 第36-37页 |
1.5.2 课题研究的内容 | 第37-38页 |
1.5.3 课题研究的创新点 | 第38-39页 |
2 实验原料、设备与研究方法 | 第39-44页 |
2.1 实验原料 | 第39-40页 |
2.2 实验设备 | 第40页 |
2.3 表征方法 | 第40-41页 |
2.4 气敏性能测试 | 第41-43页 |
2.5 电化学性能检测 | 第43-44页 |
3 贵金属@WO_3纳米片复合纳米晶制备与NO敏感性能 | 第44-69页 |
3.1 Au修饰WO_3纳米片基异质结构复合材料制备及其NO敏感性能 | 第45-55页 |
3.1.1 实验部分 | 第45-46页 |
3.1.2 结果与讨论 | 第46-55页 |
3.1.3 本节小结 | 第55页 |
3.2 Ag修饰WO_3纳米片基异质结构构筑及其NO敏感性能 | 第55-67页 |
3.2.1 实验部分 | 第55-56页 |
3.2.2 结果与讨论 | 第56-67页 |
3.2.3 本节小结 | 第67页 |
3.3 本章总结 | 第67-69页 |
4 金属氧化物@WO_3纳米片多级复合材料的构筑及其气敏性能 | 第69-105页 |
4.1 高比表面积Fe_2O_3@WO_3多级结构的微波合成与气敏性能 | 第69-84页 |
4.1.1 实验部分 | 第70-72页 |
4.1.2 结果与讨论 | 第72-83页 |
4.1.3 本节小结 | 第83-84页 |
4.2 微波辅助合成In_2O_3@WO_3多级结构及其增强的H_2S敏感性能 | 第84-95页 |
4.2.1 实验部分 | 第85-86页 |
4.2.2 结果与讨论 | 第86-94页 |
4.2.3 本节小结 | 第94-95页 |
4.3 CuO@WO_3纳米复合材料的水热制备及低温H_2S敏感性能 | 第95-103页 |
4.3.1 实验部分 | 第96页 |
4.3.2 结果与讨论 | 第96-103页 |
4.3.3 本节小结 | 第103页 |
4.4 本章总结 | 第103-105页 |
5 Au/SnO_2@WO_3三元复合材料的原位合成及其气敏性能 | 第105-117页 |
5.1 实验部分 | 第105-107页 |
5.2 结果与讨论 | 第107-116页 |
5.2.1 物相与形貌分析 | 第107-111页 |
5.2.2 气敏性能 | 第111-115页 |
5.2.3 气敏机理 | 第115-116页 |
5.3 本章总结 | 第116-117页 |
6 高比表面积SnO_2@rGO多级复合材料的微波合成及其气敏与电化学敏感性能 | 第117-129页 |
6.1 引言 | 第117页 |
6.2 实验部分 | 第117-119页 |
6.3 结果与讨论 | 第119-128页 |
6.3.1 物相与形貌分析 | 第119-124页 |
6.3.2 气敏性能 | 第124-127页 |
6.3.3 电化学敏感·性能 | 第127-128页 |
6.4 本章总结 | 第128-129页 |
7 全文结论与展望 | 第129-133页 |
7.1 全文结论 | 第129-132页 |
7.2 展望 | 第132-133页 |
参考文献 | 第133-155页 |
在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第155-157页 |
致谢 | 第157页 |