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氧化钨纳米片与石墨烯基多级复合纳米材料的构筑与气敏性能研究

摘要第4-7页
Abstract第7-10页
1 绪论第15-39页
    1.1 金属氧化物半导体气敏材料第15-23页
        1.1.1 金属氧化物气敏材料分类第15-17页
        1.1.2 金属氧化物材料的气体敏感机理第17-19页
        1.1.3 金属氧化物材料的气敏影响因素第19-22页
        1.1.4 低维金属氧化物基纳米异质结构材料第22-23页
    1.2 WO_3基气敏材料第23-32页
        1.2.1 WO_3用作气敏材料第23-24页
        1.2.2 贵金属/WO_3气敏材料第24-28页
        1.2.3 氧化物半导体/WO_3气敏材料第28-30页
        1.2.4 导电聚合物/WO_3气敏材料第30页
        1.2.5 金属/金属氧化物/WO_3三元气敏材料第30-31页
        1.2.6 WO_3基复合材料的制备方法第31-32页
    1.3 金属氧化物/石墨烯敏感材料第32-35页
        1.3.1 石墨烯的结构、性质和应用第32-33页
        1.3.2 金属氧化物/石墨烯敏感材料第33-34页
        1.3.3 SnO_2/石墨烯敏感材料及其制备第34-35页
    1.4 微波辅助合成纳米材料第35-36页
    1.5 课题的提出及研究内容第36-39页
        1.5.1 课题研究的思路第36-37页
        1.5.2 课题研究的内容第37-38页
        1.5.3 课题研究的创新点第38-39页
2 实验原料、设备与研究方法第39-44页
    2.1 实验原料第39-40页
    2.2 实验设备第40页
    2.3 表征方法第40-41页
    2.4 气敏性能测试第41-43页
    2.5 电化学性能检测第43-44页
3 贵金属@WO_3纳米片复合纳米晶制备与NO敏感性能第44-69页
    3.1 Au修饰WO_3纳米片基异质结构复合材料制备及其NO敏感性能第45-55页
        3.1.1 实验部分第45-46页
        3.1.2 结果与讨论第46-55页
        3.1.3 本节小结第55页
    3.2 Ag修饰WO_3纳米片基异质结构构筑及其NO敏感性能第55-67页
        3.2.1 实验部分第55-56页
        3.2.2 结果与讨论第56-67页
        3.2.3 本节小结第67页
    3.3 本章总结第67-69页
4 金属氧化物@WO_3纳米片多级复合材料的构筑及其气敏性能第69-105页
    4.1 高比表面积Fe_2O_3@WO_3多级结构的微波合成与气敏性能第69-84页
        4.1.1 实验部分第70-72页
        4.1.2 结果与讨论第72-83页
        4.1.3 本节小结第83-84页
    4.2 微波辅助合成In_2O_3@WO_3多级结构及其增强的H_2S敏感性能第84-95页
        4.2.1 实验部分第85-86页
        4.2.2 结果与讨论第86-94页
        4.2.3 本节小结第94-95页
    4.3 CuO@WO_3纳米复合材料的水热制备及低温H_2S敏感性能第95-103页
        4.3.1 实验部分第96页
        4.3.2 结果与讨论第96-103页
        4.3.3 本节小结第103页
    4.4 本章总结第103-105页
5 Au/SnO_2@WO_3三元复合材料的原位合成及其气敏性能第105-117页
    5.1 实验部分第105-107页
    5.2 结果与讨论第107-116页
        5.2.1 物相与形貌分析第107-111页
        5.2.2 气敏性能第111-115页
        5.2.3 气敏机理第115-116页
    5.3 本章总结第116-117页
6 高比表面积SnO_2@rGO多级复合材料的微波合成及其气敏与电化学敏感性能第117-129页
    6.1 引言第117页
    6.2 实验部分第117-119页
    6.3 结果与讨论第119-128页
        6.3.1 物相与形貌分析第119-124页
        6.3.2 气敏性能第124-127页
        6.3.3 电化学敏感·性能第127-128页
    6.4 本章总结第128-129页
7 全文结论与展望第129-133页
    7.1 全文结论第129-132页
    7.2 展望第132-133页
参考文献第133-155页
在学期间发表的学术论文与研究成果第155-157页
致谢第157页

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