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六方相碲一维纳米结构制备及其负光电导特性研究

中文摘要第3-5页
英文摘要第5-6页
第一章 绪论第10-20页
    1.1 选题背景及意义第10页
    1.2 光电导效应第10-13页
        1.2.1 正光电导效应第10-11页
        1.2.2 负光电导效应第11-13页
    1.3 低维纳米材料的负光电导现象第13-18页
        1.3.1 陷阱效应第13-14页
        1.3.2 表面吸附第14-16页
        1.3.3 表面等离激元与电子的相互作用第16-18页
    1.4 本文的研究意义及研究内容第18-20页
第二章 Te纳米线的合成及其表征第20-26页
    2.1 引言第20-21页
    2.2 实验部分第21-22页
        2.2.1 试剂与仪器第21页
        2.2.2 样品的制备第21-22页
        2.2.3 产物表征第22页
    2.3 结果与讨论第22-25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 单根Te纳米线器件的场效应输运特性第26-34页
    3.1 引言第26-27页
    3.2 场效应器件构筑第27-29页
    3.3 电输运测试平台搭建第29-30页
    3.4 栅压调控的电输运特性第30-32页
    3.5 本章小结第32-34页
第四章 Te纳米线光电导特性的影响因素研究第34-48页
    4.1 引言第34-35页
    4.2 Te纳米线的正、负光电导特性第35-47页
        4.2.1 不同光波长对Te纳米线光电导特性的影响第35-38页
        4.2.2 不同气氛对Te纳米线光电导特性的影响第38-41页
        4.2.3 直径大小对Te纳米线光电导特性的影响第41-43页
        4.2.4 Te纳米线光电导的稳定性第43-45页
        4.2.5 激光功率对Te纳米线光电导特性的影响第45-47页
    4.3 本章小结第47-48页
第五章 实验结论第48-50页
    5.1 总结第48-49页
    5.2 展望第49-50页
参考文献第50-59页
攻读硕士学位期间完成的论文第59-61页
致谢第61-63页

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